- P3口位结构 2016/7/9 21:07:23 2016/7/9 21:07:23
- P3口的位结构图如图3.16所示。P3口为双功能口,当P3准双向口,且每位都可定义为ADG201AKR输入或输出口,其工作原理同P1口作为通用V0口使用时,它为口类似。图316P3...[全文]
- P1口2016/7/9 21:01:00 2016/7/9 21:01:00
- P1口是一个准双向口,通常作为V0口使用,其位结构图如图3.14所示。由于在ADF4360-8BCPZ其输出端接有上拉电阻,故可以直接输出而无须外接上拉电阻。同P0口样,当作输入时,必须先向对...[全文]
- 片内与片外程序存储器的选择2016/7/9 20:52:37 2016/7/9 20:52:37
- 80C51的程序计数PC是16位的计数器,所以能寻址Cz+KBRoM的任何单元。EA引脚接高电平当EA引脚接高电平时,对于基ADC0832CCN本型单片机,首先在片内...[全文]
- 进(借)位标志位2016/7/8 21:29:07 2016/7/8 21:29:07
- CY进(借)位标志位,也是位处理器的位累加器C。在加减运算中,若操作结果的最高位HA60151V3-E00U-A99有进位或有借位时,CY由硬件自动置1,否则清0。在位操作中,CY作为位累加...[全文]
- 用户RAM区(30H~7FH)2016/7/8 21:24:34 2016/7/8 21:24:34
- 注:MsB为最高有效位;LSB为最低有效位。用户RAM区(30H~7FH)所剩80个单元即为用户RAM区,单元地HA50151V4-000U-999址为30H~7FH...[全文]
- 8Oc51单片机逻辑结构2016/7/8 21:11:15 2016/7/8 21:11:15
- 80C51单片机采用的是冯・诺伊曼提出的经典计算机体系结构框架,即一台计算机由运算器、HA30101V3-000U-A99控制器、存储器、输入设备和输出设备5个基本部分组成。80C...[全文]
- 复位信号RST2016/7/8 21:09:24 2016/7/8 21:09:24
- 该信号高电平有效,在输入端保持两个机器周期的高电平后,就可以完成复位操作。此外,H7HP-ADB该引脚还有掉电保护功能,若在该端接+5V备用电源,在使用中若Vcc掉电,可保护片内RAM中信息不丢...[全文]
- 存储单元的扩展2016/7/7 22:13:09 2016/7/7 22:13:09
- 当存储器的单元数不够时,需要进行存储器存储单元的扩展,如2K×8位芯片扩展为16K×8位,需要用8片这样的芯片。这时,若CPU发出某一单元的读/写命令,AFB03512HA-AR00应该只有一个...[全文]
- NOR技术2016/7/7 21:53:04 2016/7/7 21:53:04
- (1)NOR・基于NOR技术(也称为Linear技术)的闪速存储器出现最早,目前仍是多数供应商支持的技术架构,ADIS16488CMLZ具有可靠性高、随机读取速度快的...[全文]
- 静态lntel 2128NMOs RAM芯片2016/7/7 21:43:39 2016/7/7 21:43:39
- Inte12128是2K×8位的静态RAM,单一+5V供电,8位数据线D0~D7,一个片选端CE,一个输出允许端OE,一个写控制端WE,11根地址线。ADIS16367BMLZ其引脚排列如图2....[全文]
- 动态基本存储电路2016/7/7 21:25:24 2016/7/7 21:25:24
- 图2.10为单管动态存储单元电路示意图,动态基本存储电路是利用MOS管栅极和源极之间ADIS16364BMLZ的极间电容C1来存储信息的。C1上存有电荷,表示存有信息“l”,否则就表示存有信息“...[全文]
- 微处理器的基本组成2016/7/4 22:13:49 2016/7/4 22:13:49
- 微处理器是微型计算机的核心,是控制器和运算器的合称。不同的CPU,其内部结构、硬DSSK60-015AR件设置都不尽相同,但基本部件基本相同。1.算术逻辑单元ALU算术逻辑单元(A...[全文]
- 数据处理2016/7/4 21:48:15 2016/7/4 21:48:15
- 在对数正态坐标上绘制累积失效率分布,得到加速应力下的寿命。计算温度DSEP2X61-12A应力和电场应力的加速度,推算工作应力条件下NBTI寿命。工作条件下的寿命是加速应力条件下的时间与加速系数...[全文]
- 测量时间设置2016/7/4 21:43:04 2016/7/4 21:43:04
- 设置一些相应的时间测量位置,如100s、20Os、500s、1000s,在这些时间点去除负栅应力,DSEI20并将器件冷却至室温,测量阈值电压的变化值,并记录下相应的阈值电压值。失...[全文]
- 验证实例 2016/7/4 20:59:17 2016/7/4 20:59:17
- 进行电迁移效应试验时,金属铝的温度范围为150~3OO℃,金属铜的温度范围为250~400℃。DSEC60-04A进行电迁移效应激活能参数的提取时,需要定好电流密度的值,分别在3个不同的温度点√...[全文]
- 验证实例 2016/7/3 17:58:32 2016/7/3 17:58:32
- TDDB测试时使电场固定,选取3个以上不同的温度点,根据栅介质的击穿时间,作出lnr50~1/Γ关系图,对测量点进行线性拟合,拟合曲线的斜率即Ea/肟的值。NTD70N03R-D由于庀值...[全文]
- 测试器件2016/7/3 17:42:58 2016/7/3 17:42:58
- (1)测试器件。必须保NDP708B证使用的器件是未受过应力的器件,测试器件使用的偏压不应超过技术规范。预先受力器件相比未受应力的器件,寿命时间有明显的漂移。最优栅压可从同样过程但不同于受热载流...[全文]
- 沟道长度对热载流子效应的影响2016/7/2 18:52:59 2016/7/2 18:52:59
- 从图10.13中可见,沟道长度从0.5um缩小到0.I8um(缩小了“%),撞电离产生率从5,87×1y8pairs/cm3・s)增大到6.8×1029pairs/cm3}...[全文]
- 栅氧化层厚度对热载流子效应的影晌2016/7/2 18:49:31 2016/7/2 18:49:31
- 利用MEDICI对相同工艺参数和栅氧厚度为3.2~‰m的MOS器件进行研究,在几ubmⅨ应力条件(吒s丬.75V,‰s胡・8v)下,最大碰撞离化率和AD8056AR最大的电子注入电...[全文]
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