以紫外光为光源的曝光方式分别有接触式曝光、接近式曝光、投影式曝光3种,其他曝光方式有X射线曝光、电子束曝光、直接分步重复曝光、深紫外线曝光。 HAT2174H-EL-E接触式光刻适用于5um及以上的工艺,由于掩膜版与硅片相接触磨损,使掩膜版的寿命降低,当硅片尺寸增加就有套准精度问题。

   接近式光刻机适用于2~4um工艺,由于紫外光发散,减小了分辨能力,因此接近式曝光是以牺牲分辨率来延长掩膜版的寿命的,大尺寸和小尺寸器件上同时保持线宽容限还有困难。另外,与接触式曝光相比,接近式曝光的操作比较复杂。投影式曝光适用于1um及以上的工艺。避免了掩膜版与硅片表面的摩擦,延长了掩膜版的寿命。掩膜版的尺寸可以比实际尺寸大得多,克服了小图形制版的困难。消除了由于掩膜版图形线宽过小而产生的光衍射效应,以及掩膜版与硅片表面接触不平整而产生的光散射现象。投影式曝光虽有很多优点,但由于光刻设备中许多镜头需要特制,设备复杂。

   X射线曝光的基本要求:材料的形变小,这样制成的图形尺寸及其相对位置的变化可以忽略。掩膜衬底材料透X光能力强,在它上面制作微细图形的材料透X光能力差,这样在光刻胶上可获得分辨率高的光刻图形。