电子负电荷积累模型。s⒑2在一定电场作用下,产生F―N隧穿电流,电子从阴极注入氧化层中, HB24-1.2-A注入电子在阴极附近可产生新的陷阱或被陷阱所俘获,局部电荷的积累使其与阳极间某些局部地区电场增强,由于s⒑2中场强分布不是线性的,只要达到该处S⒑2介质的击穿场强,就发生局部介质击穿,进而扩展到整个S⒑2层,这是电子负电荷积累模型。

   具体击穿过程一般认为是一个热、电过程。隧穿电流与阴极场强有关。这涉及Si/s⒑2(或Al―So2)界面不可能绝对平整,微观上可能存在一些突起,使局部电场增强,也可能是氧化层中某处存在一些缺陷或杂质,使界面势垒高度降低,这都使该薄弱处首先产生隧道电子流。在外场作用下,电流呈丝状形式漂移穿过S⒑2 膜,这种丝状电流直径仅数纳米,电流密度很大,而s⒑2的导热率很低(30Ok时约为0.01W/cm℃),局部地区产生很大的焦耳热使温度升高,温升又促进F―N电流增加,这样互相促进的正反馈作用,最终形成局部高温。如果不能及时控制电流的增加,可使铝膜、S⒑2膜和硅熔融,发生烧毁性击穿。