1959年7月,美国Fairchild公司的Noycc发明了第一块单片集成电路(如图1.2所示)。AD1671KQ他利用S⒑2膜制成平面晶体管,用沉积在⒏oo膜上和⒏02膜密接在一起的导电膜作为元器件间的电连接(布线)。

   Noyce发明的第一块单片集成电路

   这是单片集成电路的雏形,是与现在的硅集成电路直接有关的发明。集成电路的发明开创了集有源器件与某些元件于一体的新局面,使传统的电子器件概念发生了质的变化。这种新型的封装好的器件不仅体积和功耗都很小,而且具有独立的电路功能。集成电路的发明使电子学进入微电子学时代,是电子学发展的一次重大飞跃。

   早期研制的集成电路都是双极型的,1960年以后出现了采用MOs(Mcta1_oxidc¨semi¨conduGtor)结构和工艺的集成电路,从此MOs集成电路得到了迅速发展。双极型和MOs集成电路一直处于相互竞争、相互促进、共同发展的状态。但由于MOS集成电路具有功耗低、适合于大规模集成等优点,它在整个集成电路领域占的份额越来越大,现在己成为集成电路领域的主流。虽然双极型集成电路在总份额中占的比例在减小,但它的绝对份额依然在增加,它在一些应用中也不会被MOs集成电路所替代。