- 影响绝缘材料的主要因素2016/8/17 21:17:08 2016/8/17 21:17:08
- (1)温度。温度升OB3390MP高,电介质的电阻率阝降,电阻减小;电介质的极化特性和损耗也随着温度变化而变化;温度升高还会加速热击穿和热老化。(2)湿度。绝缘材料的绝缘电阻,一股...[全文]
- 绝缘材料的基本性能2016/8/17 20:22:19 2016/8/17 20:22:19
- 1)电介质的漏导电流绝缘材料并不是绝对不导电的材料,这是因为在材料内部总多少存在一些带电质点,一IXFX90N30般在不太强的电场F9电介质中参加导电的带电质点主要是离子,而金属的...[全文]
- 磁场的屏蔽2016/8/16 22:47:35 2016/8/16 22:47:35
- 磁场的屏蔽主要是为了抑制寄生电感耦合。寄生电感耦合也叫磁耦合,如图1,3,14所示。当感应源g内的电路中有电流通过时,在感应源g和受感器s之间,由于电感作用而形成寄生电感耦合。JS...[全文]
- 变Ⅱ器等较重的元器件2016/8/16 22:32:12 2016/8/16 22:32:12
- 变Ⅱ器等较重的元器件,应尽量JST10N60F安装在产品的底层,利用变!【器铁心的穿心螺栓将框架和铁心牢H地H定在底板上,其螺拴应有防松装置。印制电路板较薄,易于弯曲,故需要加固。...[全文]
- 强制散热2016/8/15 22:23:25 2016/8/15 22:23:25
- 强制散热方式通常有强制风冷、液体冷却、蒸发冷却、半导体致冷等。(1)强制风冷。强制风MLF1005DR27KT冷是利用风机进行鼓风或抽风,提高产品内空气流动的速度,增大散热面的温差...[全文]
- 防霉菌可从霉菌的生存特点出发有针对性地防护2016/8/15 22:10:32 2016/8/15 22:10:32
- 防霉菌可从霉菌的生存特点出发有针对性地防护,只要破坏引起霉菌腐蚀的任何一个条件,就能阻止霉菌的生长,达到防霉的目的。(1)控制环境条件。绝大部MLF1005DR12KT分霉菌滋生的...[全文]
- 气候因索的防护2016/8/14 18:55:34 2016/8/14 18:55:34
- 由于电子产品使用的范围非常广泛,其工作环境和条件也就极为复杂多样,它要受DAC8801IDRBT到各种环境和气候条件的影响。对于气候因素而言,主要是受潮湿、盐雾、霉菌的影响。所以对气候因素的防护...[全文]
- 产品或系统的可靠性2016/8/14 18:41:04 2016/8/14 18:41:04
- 一个产品或复杂的系统可以看成是由若干个子系统或部件组成的,而每个子系统或部件又由许多元器件组成。DAC7625U我们可根据元器件的可靠性求得系统的可靠性,也可根据系统的可靠性要求分配各子系统的可...[全文]
- 芯片结构的热学参数模拟计算2016/8/13 23:36:57 2016/8/13 23:36:57
- 热导率是衡量材料散热特性的参数,它与材料性质有密切关系。LED器件使用的各种材料的热导率系数如表⒎2所示⒓刀:由上表可见,AK5353VT-E2环氧树脂的热导率与其他材料的热导率相差2~3个数量...[全文]
- LED器件的光提取效率 2016/8/12 20:59:20 2016/8/12 20:59:20
- LED器件的光提取效率LED的一个很重要的技术参数是光的提取效率,即能够成功出射到器件外面的光子数占整个pn结发出的光子数的比例。FM24CL64一旦光子在LED有源层中产生,光子...[全文]
- 掌握射极输出器的性能和基本特点2016/8/11 21:12:48 2016/8/11 21:12:48
- 一、实验目的PIO32-1R5MT1．掌握射极输出器的性能和基本特点。2．进一步熟悉放大电路电压增益、输入电阻和输出电阻的测量方法。3．掌握最大跟随电压...[全文]
- 减薄后进行背面N型金属电极淀积2016/8/9 21:00:37 2016/8/9 21:00:37
- 减薄后进行背面N型金属电极淀积,材料为AuGcNi/Au,厚度为50nm~1.5um,并进行快速退火,退火温度435℃,时间40秒,通N2保护。BATF003G2K94-00R退火后进行芯片切割...[全文]
- 红、黄色LED基本结构和制备工艺流程 2016/8/9 20:55:01 2016/8/9 20:55:01
- 合理的设计LED外延和芯片结构对提高LED发光效率起着重要的作用,AlGaInPLED的结构发展经历了吸收衬底结构、分布布拉格反射镜(DBR)结构、透明衬底结构、BAF04-24093-0500...[全文]
- 用TEM观察GaN外延生长的初始阶段2016/8/9 20:43:03 2016/8/9 20:43:03
- 图5-48用TEM观察GaN外延生长的初始阶段、中间阶段、最后阶段的位错情况采用PSs生长GaN不仅可以提高晶体质量,而且可以提高出光强度。B39182-B9500-L310提高晶体质量一方面可...[全文]
- 图形蓝宝石衬底(Pattem Sapphire Substrate,PSS) 2016/8/9 20:41:24 2016/8/9 20:41:24
- 一般来说,传统GaN基LED生长在蓝宝石衬底上,通过引入低温G瘀或者AlN成核层提高外延层的晶体质量,然而,因为蓝宝石和G瘀之间大的晶格常数和热膨胀系数的差异,使得外延层的螺位错密度在109~1...[全文]
- 在LED表面发生散射而被提取出来2016/8/8 21:02:03 2016/8/8 21:02:03
- 图5-41纳米柱ITo结构LED和其与无纳米柱LED的对比卜/、￡亻曲线Kyoung-Kook⒗m等lsˉR]FM25040A-G报道了在平面ITO膜上用90℃的溶液生长Zno纳米柱,极大地提高...[全文]
- 在透明导电层上引入纹理化图形 2016/8/8 20:52:50 2016/8/8 20:52:50
- 基于直接将p面朝上的外延层进行纹理化的损伤、面积损失、不好做电性连接、尺寸FM24CL16B-G和均匀性不好控制等诸多不利因素,人们便想在透明导电层上引入纹理化图形来避免上述不利因素。量产化的G...[全文]
- 垂直结构不同表面纹理化图形2016/8/8 20:45:09 2016/8/8 20:45:09
- 上述直接在外延层上制备纹理化图形的方法能够明显提高光提取效率,如果将图形制作的足够小,还能缓解应力和QCsE而提高内量子效率,FM24C64-G总体提升效果很吸引人,但是这种方法在实际生产中却不...[全文]
- 在LED外延层上直接引入纹理化图形 2016/8/8 20:34:21 2016/8/8 20:34:21
- 如图5-33所示,通过各种掩膜和干法刻蚀的方式得到纹理化图形用以提高光提取效率。此类纹理化图形一般是微米、纳米级的,因此其表面纹理化程度很高,图形的FM24C256A个数达...[全文]
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