本文对mgb₂超导体进行不同时间的激光照射，并利用正电子湮没技术对光照样品进行了研究，根据正电子寿命谱参数的变化情况，利用光致电荷转移模型对光辐照后的mgb₂超导体样品的电子结构及超导电性进行了研究讨论。

引言

自从发现mgb₂具有异常高的超导转变温度［1］之后，立即引起了超导界及固体物理界的极大关注，大量的实验和理论研究使mgb₂的超导机制已变得清楚，b的同位素效应［2］显示了在mgb₂中电声相互作用的重要性; kortus et al.进行的能带计算［3］也表明高t_c的结果来源于强烈的电声相互作用及与之相关联的轻元素b的高声子频率等等，所有的这些都向我们表明mgb₂是符合bcs理论的第一类超导体。

光照射和光响应是研究光与材料相互作用进而分析和改变材料性质的重要手段.传统的半导体材料通过光照就可以改变其载流子浓度,而不需要改变材料的化学组分和晶体结构.与化学掺杂方法相比,人们形象地将光照射(将光子引入物体)而改变材料性质的方法称之为“光掺杂”［4］.而将光掺杂引入到超导领域更加展示了他独到的魅力：首先不改变样品的氧含量，光掺杂可以改变超导转变性质，不同氧含量的ybco在光照前后超导临界温度发生变化35，随着光照时间的增加样品的电阻率持续降低39等，在