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BiCMOS 模拟工艺技术2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
美国国家半导体公司的专有 bicmos 模拟工艺技术可以大幅提高该公司的新一代高精度、低功率、低电压运算放大器的性能，为低功耗、低噪音的放大器创立一个全新的业界标准。今后...[全文]
SystemVerilog语言简介(四)2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
23. 动态过程 verilog通过使用fork-jion提供了一种静态的并发过程。每一个分支都是一个分离的、并行的过程。fork-jion中任何语句的执行必须在组内的...[全文]
IP核的市场前景分析2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
　　从目前国际的情况来看，ip产业获利的途径主要有两种：一是从ip供应商来看，通过转让ip核或提供ip使用许可证、以知识产权的形式进行技术参股等多种形式获得直接收益；二是从i...[全文]
国内IP产业的发展状况2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
　从目前情况看，我国半导体产业规模较小，但具有较大的发展空间，其发展势头，同样令其它工业叹为观止。90%的产品仍依靠国外进口。　　由于ip的最终实施通常是依托于foundry...[全文]
国际IP产业的发展状况2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
1997年，cicc（custom ic conference，专用ic国际年会） 的"单元建库"论文分册首次出现有关ip的报道，而第二年ccic年会的ip论文数量已发展到三...[全文]
IP产业目的和意义2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
　　在以往的几十年里，我国ic设计业一直面对着"或者设计出整个奔腾，或者完全被排除在设计业之外"的尴尬局面。ic设计业的最新一轮分工为打破这种局面提供了一个适合我国国情的切入...[全文]
什么是IP产业2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
　　ip（intellectual property）就是常说的知识产权。美国dataquest咨询公司将半导体产业的ip定义为用于asic、assp、pld等当中，并且是预...[全文]
mems表面牺牲层2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
传统的表面微机械系统，首先在衬底上面生长或淀积一层牺牲层（如磷硅玻璃），然后再淀积一层多晶硅材料，最后通过化学方法腐蚀掉中间的牺牲层，在多晶硅和衬底之间形成了一个空隙或空腔，如图1.16所示。但...[全文]
硅-硅直接键合技术在MEMS上的进展2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
对mems的研究主要基于硅材料，mems机械加工使用最广泛的是表面微机械加工和体硅微机械加工工艺。表面微机械加工技术由于与ic平面工艺兼容性好，得到了广泛的应用，但纵向尺寸受到限制。体硅加工技术...[全文]
智能剥离技术（Smart-cut）2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
smart-cut技术是一种注入氢离子然后进行剥离的技术，即在键合的一片晶片上注入氢离子，然后和另一硅片在一定温度下键合。键合热处理温度在大约500℃时，氢离子注入处会形成连...[全文]
键合SOI2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
硅-硅直接键合制备soi材料的主要工艺过程是: (1)键合，将两个硅抛光片（其中一个或两个硅片的表面有热氧化层)进行清洗和活化处理，然后在室温下贴合在一起，通过表面分子或原子...[全文]
SOI的发展和特点2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
绝缘体上硅(soi)技术已有30多年的历史，它开始于20世纪60年代的蓝宝石上异质外延硅(sos)。soi技术的发展可以分为3个阶段[27~29]：第一阶段是在20世纪...[全文]
硅-硅直接键合单项工艺的发展2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
在过去的20年中，硅-硅直接键合技术得到了迅速的发展，并且硅-硅直接键合技术的发展也是伴随着各项单项工艺和应用的不断发展而发展的。硅-硅直接键合技术的单项工艺的发展主要在活化...[全文]
Si-Ge共熔键合2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
河北工业大学的刘玉岭教授借鉴了金-硅键合技术的特点对硅-硅直接键合技术进行了扩展，形成了一种新的硅-硅直接键合技术—si-ge共熔键合[1]，工艺流程如图1.9所示，主要的工...[全文]
疏水硅-硅直接键合2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
根据硅片在室温下预键合时硅片表面的亲水情况，硅-硅直接键合技术分为两种:亲水键合和疏水键合。亲水键合是一种常用的硅-硅直接键合技术，也是发展最早，它是要求硅片在室温下预键合时...[全文]
亲水键合的工艺过程2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
亲水键合工艺虽然不断改进，并且应用到不同的领域，但亲水键合工艺的基本过程是类同的，一般分为三步[2]： （1）将两片表面平整洁净的抛光硅片（氧化或未氧化）先经含oh-的溶液浸...[全文]
硅-硅直接键合技术的特点和发展2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
硅-硅直接键合技术（silicon direct bonding, sdb）是键合技术中提出较晚，但是发展最为迅速，人们研究最多，应用最广泛和最为重要的键合技术之一。硅-硅直...[全文]
玻璃静电键合2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
静电键合又称场助键合、阳极键合[2]，它是walis和pomeranta于1969年提出[3]，现在已经是一项成熟的工艺技术，可以将玻璃与金属、合金或半导体等材料键合在一起，...[全文]
金-硅共熔键合2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
金-硅共熔键合常用于微电子器件的封装中，用金-硅焊料将管芯烧结在管底座上，1979年这一技术用在了压力变送器上。金硅-焊料是金-硅二相系（硅的含量为19at.%），熔点为36...[全文]
硅片键合技术的分类2008/6/5 0:00:00
2008/6/5 0:00:00
硅片键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、氧化层、玻璃或其它材料紧密连接在一起形成一个整体。硅片键合技术经过几十年的发展，已经形成了适合不同领域的键合技术，按照硅片之...[全文]
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