mems表面牺牲层
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:798
传统的表面微机械系统，首先在衬底上面生长或淀积一层牺牲层（如磷硅玻璃），然后再淀积一层多晶硅材料，最后通过化学方法腐蚀掉中间的牺牲层，在多晶硅和衬底之间形成了一个空隙或空腔，如图1.16所示。但是，表面牺牲层工艺有很多缺点：（1）实际的多晶硅厚度和空隙间距受到限制，在2~3µm之间。（2）多晶硅的电学特性很差，压敏电阻系数低，p-n结特性差。（3）机械特性重复性差，很难重复，这也是最重要的。为了消除多晶硅材料的这些缺点，可以用单晶硅键合工艺来实现表面微机械系统，得到一个单晶硅层。
图1.16 牺牲层表面微机械
利用硅直接键合技术制备表面微机械系统的典型工艺流程如图1.17
传统的表面微机械系统，首先在衬底上面生长或淀积一层牺牲层（如磷硅玻璃），然后再淀积一层多晶硅材料，最后通过化学方法腐蚀掉中间的牺牲层，在多晶硅和衬底之间形成了一个空隙或空腔，如图1.16所示。但是，表面牺牲层工艺有很多缺点：（1）实际的多晶硅厚度和空隙间距受到限制，在2~3µm之间。（2）多晶硅的电学特性很差，压敏电阻系数低，p-n结特性差。（3）机械特性重复性差，很难重复，这也是最重要的。为了消除多晶硅材料的这些缺点，可以用单晶硅键合工艺来实现表面微机械系统，得到一个单晶硅层。
图1.16 牺牲层表面微机械
利用硅直接键合技术制备表面微机械系统的典型工艺流程如图1.17
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