键合SOI
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:721
硅-硅直接键合制备soi材料的主要工艺过程是: (1)键合，将两个硅抛光片（其中一个或两个硅片的表面有热氧化层)进行清洗和活化处理，然后在室温下贴合在一起，通过表面分子或原子间的作用力直接连在一起, 最后把预键合好的硅片在干氧气氛中热处理, 使键合界面发生复杂的物理化学反应，生成键合强度很大的共价键使键合的硅片成为一个整体；(2)减薄，减薄器件有源区硅层到微米甚至亚微米厚度, 这样就得到了所需的soi材料。硅片表面平整度、粗糙度及表面颗粒可影响键合的质量, 会在界面产生空洞和应力。实验证明
硅-硅直接键合制备soi材料的主要工艺过程是: (1)键合，将两个硅抛光片（其中一个或两个硅片的表面有热氧化层)进行清洗和活化处理，然后在室温下贴合在一起，通过表面分子或原子间的作用力直接连在一起, 最后把预键合好的硅片在干氧气氛中热处理, 使键合界面发生复杂的物理化学反应，生成键合强度很大的共价键使键合的硅片成为一个整体；(2)减薄，减薄器件有源区硅层到微米甚至亚微米厚度, 这样就得到了所需的soi材料。硅片表面平整度、粗糙度及表面颗粒可影响键合的质量, 会在界面产生空洞和应力。实验证明
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