- 芯片密度的提高迫使封装技术及自动化生产2015/11/15 13:52:01 2015/11/15 13:52:01
- 多年以来，半导体TMS320DM365ZCE27封装业由于受工艺复杂程度及制造业需求的影响而滞后于晶片制造业。伴随VLSI/ULSI时代的到来，芯片密度的提高迫使封装技术及自动化生产不得不进行极...[全文]
- 易失性存储器2015/11/14 16:32:51 2015/11/14 16:32:51
- 闪存：闪存(Flashmemory)是EFPROM的一种形式，它是一种晶体管单元的设计，好像FPROM，IR3086但是在插入编程和擦除方面比较方便。此外，可以增加在同一时间内擦除几个区域或全部...[全文]
- Bi-MOS2015/11/13 21:35:30 2015/11/13 21:35:30
- 双极型和CMOS晶体管与它们各自电路的优点汇集在Bi-MOS（或Bi-CMOS）电路中。OL25TAD108图16.46所示的电路是和存储器相关的双极型、P沟道型和N沟道型晶体管（见第17章）。...[全文]
- CMOS结构2015/11/13 21:31:14 2015/11/13 21:31:14
- 隔离问题，特别是对于CMOS结构来说，就是闩锁效应(latchup)。图16.43是芯片部分的横截面图。NUD4001DR2G并排的MOS晶体管组成横向的双极型晶体管(NPN)。在电路工作过程中...[全文]
- SWAMI工艺2015/11/13 21:27:09 2015/11/13 21:27:09
- 如何使“鸟嘴”达到最小，以降低NQ80331M500器件有源区的应力，促使局部氧化隔离工艺产生了许许多多的变种。其中就包含由惠普公司开发的SWAMI（见图16.39）H…。这种工艺开始时与标准的...[全文]
- 二极管2015/11/13 21:21:32 2015/11/13 21:21:32
- 掺杂二极管：二极管是指被结分开而形成两个区域的器件。二极管既可以使电流通过也可以起到阻止电流流动的作用。二极管的功能由电压的极性来决定，NJ1030U8这称为偏置(biasing)（见图16.1...[全文]
- 结电容器2015/11/13 21:18:35 2015/11/13 21:18:35
- 结电容器：在器件中，每个结都是一个电容器。当每个结的两边被加上电压时，载流子NE555DR就会离开结，形成耗尽区（见图16.8）。在器件和电路中，这种耗尽区就起到了电容器的作用。图...[全文]
- 生产线组织架构2015/11/13 21:07:20 2015/11/13 21:07:20
- 大多数制造区域是围绕着生产线的概念组织的。在这个概念下，NCN6001DTBR2G制造区域是按照能提供具有相似工艺要求的产品建造的。因此才有了双极型生产线和CMOS生产线等。这样的安排使工艺过程...[全文]
- 闭环控制系统自动化2015/11/12 20:02:59 2015/11/12 20:02:59
- 这个行业正处于全面自动化的最后阶段，即闭环反馈系统。它包含两个方面，HY5DU561622ETP-5-C一方面是某些设备具有在线传感器来测量关键的工艺参数，通过反馈电路，设备会进行自我调节来保证...[全文]
- 工厂设施成本及设施维护费用是成本的主要部分2015/11/11 19:39:32 2015/11/11 19:39:32
- 工厂设施成本及设施维护费用是成本的主要部分。制造区域仅占全部厂区面积的20%，SGH23N60UFDTU却是费用开销的主体。空调、化学品存放和发放，以及净化间的成本都属于主要的开销。用于ULSI...[全文]
- 摩尔定律相新晶圆制造商业2015/11/11 19:36:25 2015/11/11 19:36:25
- 半导体产业在20世纪40年代开始提供商用产品。那时的生产线仅比实验室的数量多一点，S29GL128P90TFIR10而工人也大多是训练有素的技术人员。在1965年英特尔(Intel)公司的戈登·...[全文]
- 二极管反向偏置测量2015/11/11 19:24:08 2015/11/11 19:24:08
- 在相反方向，二极管REF3020AIDBZ则被设计成当电压低于设置电压值时，电流无法通过。当二极管反置时，有一直流小电流通过结点，称为漏电流(leakagecurrent)（见图14.36）。随...[全文]
- 低七介质的缺陷源2015/11/11 19:06:25 2015/11/11 19:06:25
- 自动晶圆表面检查的另一个优势是将不同的技术结合在同一检查设备中。一个采HCPL-181-00BE样覆盖散射仪、椭圆偏振仪、反射仪与表面形貌分析一起提供表面情况的综合评估。缺陷、厚度均匀性和表面情...[全文]
- 显微镜技术2015/11/10 20:13:27 2015/11/10 20:13:27
- 亮场显微镜：金相显微镜在表面检测中是一种广为应用的设备。术语金相(metallurgi【．al)显微镜，与在生物实验室中用到的标准显微镜不同。IRF5303生物显微镜能够使光线向上穿过并照亮透明...[全文]
- CVD难熔金属淀积2015/11/9 19:50:07 2015/11/9 19:50:07
- 由于低压化学气相淀积(IPCVD)具有诸多优点，因此为金属淀积提供r第i种选择LPCVD有许多优点，AD8055ARTZ-R2它不但不需要造价昂贵、维护复杂的高真空泵，而且提供了共形台阶覆盖和高...[全文]
- 淀积掺杂的硅层2015/11/6 19:34:30 2015/11/6 19:34:30
- 如下这砦增加的层在器件AD7548TQ或电路的结构中起着各种不同的作用：·淀积掺杂的硅层，称为外延层(epitaxiallayer)（见本章的相关部分）·金属问的绝缘...[全文]
- 掺杂前景展望2015/11/6 19:30:01 2015/11/6 19:30:01
- 离子注入也有其缺点，即设备昂贵且复杂。培训和保养维护比相应的扩散更耗时。AD7548KN设备在高电压和更多有毒气体的使用上呈现出新的危险。从工艺角度看，最大的忧虑来自退火完全消除注入带来损伤的能...[全文]
- 离子注入简介2015/11/5 18:29:07 2015/11/5 18:29:07
- 高集成度电路的发展需要更小的特征图形尺寸与更近的电路器件间距。AD669AR热扩散对先进电路的生产有所限制。5个挑战分别是横向扩散、’超浅结、粗劣的掺杂控制、表面污染的干涉和位错的产生。横向扩散...[全文]
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