- 硬烘焙工艺2015/11/1 18:55:25 2015/11/1 18:55:25
- 硬烘焙的时间和温度的选取与在软烘焙工艺中是相同的。起始点是由光刻胶制造商推荐的工艺。L6219DS之后，工艺被精确调整，以达到黏结和尺寸控制的要求。一般使用对流炉的硬烘焙的温度是从130℃~20...[全文]
- 有两种类型的化学显影液用于正光刻胶2015/11/1 18:46:53 2015/11/1 18:46:53
- 有两种类型的化学显影液用于正光刻胶，碱水溶液和非离子溶液。碱一水KTS6029-2溶液可以是氢氧化钠或氢氧化钾。因为这两种溶液都含有可动的离子污染物，所以在制造敏感的电路时不能使用。大多数用正光...[全文]
- 曝光后烘焙2015/11/1 18:32:26 2015/11/1 18:32:26
- 驻波是使用光学曝光和正光刻胶时出现的问题（觅第10章）。一种减小驻波效应的方法是在曝光后烘焙晶圆。KS8695P烘焙的方法可以是前述方法的任何一种。曝光后烘焙(PEB)的时间和温度的规范是由烘焙...[全文]
- 边缘堆积去除2015/10/31 19:17:04 2015/10/31 19:17:04
- 高速转动的结果可以使光刻胶在晶圆边缘堆积，称为边缘珠子(edgebead)。EL5163IWZ-T7可以采用溶剂直接喷洒到晶圆正面和背面的边缘附近的方法将其去除（见图8.33）。在...[全文]
- 动态旋转喷洒2015/10/31 19:13:27 2015/10/31 19:13:27
- 真窒吸盘（被称为“头”）、1台电机，1个转速计和1个用来连接真空的接口。每个头EL5160IWZ-T7用一个捕获杯包围着，用来收集剩余的光刻胶，并且把那些光刻胶输送到一个收集容器中。捕获杯也是用...[全文]
- 涂光刻胶（旋转式）2015/10/31 19:09:19 2015/10/31 19:09:19
- 涂胶工艺的目的就是在晶圆表面建立薄的、EL4583CSZ均匀的并且没有缺陷的光刻胶膜。这些好的质量说起来容易，却需要用精良设备和严格的工艺控制才能达到。一般来说，光刻胶膜厚从0.5...[全文]
- 微粒清除2015/10/30 22:32:46 2015/10/30 22:32:46
- 晶圆几乎总是从一个清洁的区域来到光刻区域的，如氧化、掺杂、化学气相淀积。ADCMP341YRJZ-REEL7然而，晶圆在存储、装载和卸载到片匣过程中，可能会吸附到一些颗粒状污染物，而这些污染物是...[全文]
- 正胶和负胶的比较2015/10/30 22:18:51 2015/10/30 22:18:51
- 直到20世纪70年代中期，AD9923AXBCZ负胶一直在光刻工艺中占主导地位。随着超大规模集成电路(VLSI)和2—5ht,m图形尺寸范围的出现使负胶的分辨率变得困难。正胶存在了20多年，但是...[全文]
- 苯酚一甲醛酚醛树脂结构2015/10/30 22:06:00 2015/10/30 22:06:00
- 光敏性和对能量敏感的聚合物：对光刻AD8615AUJZ-REEL7胶光敏性有影响的成分是一些对光和能量敏感的特殊聚合物。聚合物是由一组大而重的分子组成的，这些分子包括碳、氢和氧。塑料就是一种典型...[全文]
- 光刻蚀T艺是和照相2015/10/29 20:41:46 2015/10/29 20:41:46
- 光刻蚀T艺是和照相、OTI006888蜡纸印刷比较接近的一种多步骤的图形转移过程。开始将一个电路的设计转化为器件和电路的各个部分的3个维度，、接下来绘出X．Y（表面）的尺寸、形状和...[全文]
- 热氮化2015/10/29 20:32:49 2015/10/29 20:32:49
- 在小的、OTI002108高性能的MOS晶体管的生产中，一个重要因素是薄的栅氧化层。然而，在iooA（或更薄）范围内，二氧化硅膜质量趋于变差，并难以控制（见图7.32）。。二氧化硅膜的一种替代品...[全文]
- 氧化膜和炉管清洗2015/10/29 20:30:46 2015/10/29 20:30:46
- 除了颗粒和污点的物理污染以外，氧化膜应该将可移动离子污染量减到最小。OPA343NA/250这些叮以用复杂的电容一电压(C/V)技术来检测，这种技术检测氧化层中可移动离子的总数，但它不能确定这些...[全文]
- 氧化后评估2015/10/29 20:29:43 2015/10/29 20:29:43
- 当把晶圆从石英舟上卸下后，要对这些晶圆进行检测和评估．、OPA337评估的特性和数目依赖于氧化层和特定电路对精确度及洁净度的要求（评估过程的详细内容将在第14章中予以描述）。氧化『...[全文]
- 氧化前晶圆的清洗 2015/10/29 20:28:33 2015/10/29 20:28:33
- 去除表面的污染和不期望的自然生长的氧化层对于一个，转成功的氧化工艺来讲是基本的。OPA336NA进入晶圆的污染会对器件产图7.30氧化丁艺流程生电特性问题，对二氧化硅膜产生结构完整性问题。自然生...[全文]
- 水在氧化反应时是以水蒸气的形态存在的2015/10/28 20:55:50 2015/10/28 20:55:50
- 生长氧化层会通过两个阶段：线性阶段K4J52324QE-BC14和抛物线阶段。从线性阶段到抛物线阶段的变化依赖于氧化温度和其他因素（见7.3.1节）。通常来说，小于ioooA(0.1ht,m)是...[全文]
- 二氧化硅层的用途2015/10/28 20:39:36 2015/10/28 20:39:36
- 第4章论及了半导体器件对污染的极端敏感性。当一个半导体厂把主要精力放在控制及消除污染时，K4D553235F-GC33技术并不总是百分之百有效的。二氧化硅层在防止硅器件被污染方面起，重要作用。...[全文]
- 氧 化2015/10/28 20:38:09 2015/10/28 20:38:09
- 在硅表面形成二氧化硅钝化层的能力是硅技术中的关键因素之一。本章将解释二氧化硅生长的工艺、形成及用途。其中，要详细解释本工艺中最重要的部分——反应炉，因为它是氧化、扩散、热处理及化学气相淀积反应的...[全文]
- 绝缘体和电容器2015/10/27 21:04:57 2015/10/27 21:04:57
- 与导电性相对的是，RT9179GB有些材料中表现出核子对轨道电子的强大束缚，直接的效果就是对电子移动有很大的阻碍，这些材料就是绝缘体(dielectric)。它们有很低的电导率和很高的电阻率。在...[全文]
- RCA的配方被证实是经久不衰的2015/10/27 20:41:37 2015/10/27 20:41:37
- RCA清洗：在20世纪60年代中期，一名美RT9167-28PB国无线电公司(RCA)的工程师WemerKern开发出厂一种两步清洗工艺以去除晶片表面的有机和无机残留物。这一工艺被证明非常有效，...[全文]
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