早期的半导体图形化使用接触或接近接触系统，在该系统中，晶圆和掩模版是接触或接近式的。．NCP303LSN46T1但小特征的产品曝光用投影系统( projection system)，在该系统中，掩模版／放大掩模版和晶圆是分开的。投影光学系统提出r特殊的问题。面临的挑战是从模版或放大掩模版到晶圆表面投影图形的分辨率或尺寸控制损失要尽可能小。小的图形尺寸要求使用如上所述的短波长。投影系统使用一个透镜聚焦曝光束到光刻胶或晶圆表面。

   晶圆上的最小尺寸是由投影光学系统的物理属性限定的。透镜系统中的一个参数是数值孔径(NA)，．NA表示透镜聚集光线的能力。关系式是前面曾出现的瑞利公式[见式(10.1)]。

    矗（或在一·些公式中为矗．）是与透镜（或整介光学系统）的分辨邻近图形能力相关的常数。由于衍射作用的存在，当两个图像接近到一定程度时，即投影透镜使是最理想的透镜，也会使它们混淆不清。后一般为0.5左右。

   如上所述，式(10.1)表明减小波长是印刷更小尺  富冕霪寸的一种解决方案、，增大镜头的NA是要点。图10.9所示为镜头焦距的基本特性。然而，增加NA却有一定的限制，它要和焦深( depth of focus)或景深( depth t，f field)这一参数折中考虑。在通常的摄影学中，当前景清晰而背景不清晰或正好相反时，我们知道这是景深问题。对于这些因子，透镜参数的关系如图10.10所示。

   在晶片表面最高处和最低处都必须达到分辨率的要求和正确的尺寸。增加NA另一个要折中的是减小视场。这同变焦镜头使用高倍放大率时的现象是一样的。放大倍数越大，视场越小。视场成为步进式光刻机的一个限制因素。小视场需要更多的时间来完成整片晶圆的曝光。