如何使“鸟嘴”达到最小，以降低NQ80331M500器件有源区的应力，促使局部氧化隔离工艺产生了许许多多的变种。其中就包含由惠普公司开发的SWAMI（见图16. 39）H…。这种工艺开始时与标准的局部氧化隔离工艺是一样的。在淀积氮化硅和“垫子氧化层”之后，用定位敏感的刻蚀剂刻蚀出凹槽（或沟槽）。在(100>晶向的材料上，凹槽侧壁墙成60。角，以减少硅应力。、然后，再生长一层减缓应力的氧化层( SRO)和提供共形覆盖的氮化硅层。在刻蚀之前，再淀积一层由低压气相淀积而成的氧化层。这个氧化层是为了保护氮化硅，防止它被刻蚀掉[见图16.39(c)]。最后再生长场氧化层(FOX)。氮化硅层的长度控制该“鸟嘴”的侵蚀。再去掉最初的氮化硅层和减缓应力的氧化层以及第二层氮化硅，只留下比较平坦的晶片表面来做器件。通常情况下，局部氧化隔离设计包括有源区间的离子扩散，为的是进一步增加沟道停止能力。