离子注入也有其缺点，即设备昂贵且复杂。培训和保养维护比相应的扩散更耗时。AD7548KN设备在高电压和更多有毒气体的使用上呈现出新的危险。从工艺角度看，最大的忧虑来自退火完全消除注入带来损伤的能力。然而，尽管有这些缺点，离子注入仍是先进电路掺杂工艺的首选19。并且，很多新的结构只有依赖离子注入的特有优势才能实现。现在正在研发的一种新技术是等离子浸没( plasma ion immersion)，又称为PII。在这种技术中，将分析磁铁从系统中去除。掺杂剂离开源部分，等离子场增强它们的能量。201。这种技术将晶圆放在含有掺杂物原子的等离子场中（类似于离子铣或溅射）。当晶圆和杂质离子被恰当地充以电荷时（很像

离子注入），杂质原子加速到晶圆表面并射入。与离子注入的区别在于，低能量的等离子场使晶圆的电荷积累较少，从而为浅结的形成提供了更多的控制。

   无论如何，离子注入都是将半导体工业带入纳米时代的掺杂技术。其好处有：

   ●l0'0~ 10'6原子／CI112范围内的精确剂量控制

   ·大面积区域的均匀性

   ·通过能量的选择，控制杂质的分布剖面

   ·比较容易注入所有杂质元素

   ·使侧向扩散最小化

   ·注人非掺杂原子

   ·可透过表面层掺杂

   ·对于不同的掺杂可选择不同的掩膜材质

   ·深阱区（倒掺杂阱）的特别分布剖面