CUM良品率(CUM yield)：参见制造良品率

   电流( current)：单位时DG444DY间内通过给定点的带电粒子数，曲线跟踪仪( curve tracer)：电测仪器，，可以将器件的特性直观显示在屏幕化学气相淀积(CVD)：淀积某些介质层、导电层或半导体层的一种方法  含有需要淀积物质Ii f的化学药品与另一种化学品反应，将所需材料释放出来，并淀积在晶网r：  同时乍物（剐产：品）从反应率去除。Czochralski晶体生长机(Czochralski crystal grower)：一种晶体牛长机，使用籽晶从熔融材料中拉出晶体暗场掩模版( dark field mask)：  ．种掩模版、图形由掩模版卜的透明部分决定．深紫外线(DUV)：用来对光刻胶曝光的光源。，具有产生较小图像宽度的优点缺陷密度( defect density)：芯片j：每平方厘米的缺陷数脱水烘焙( dehydration baking)：  ．种加热过程，使晶圆表嘶通过烘焙恢复到兀水状。念，即农【ti水分在升高的温度卜．从晶圆表面蒸发去离子水(DI)：没有溶解离子的工艺用水通常规格电阻率为t5~18 Mll,耗尽层( depletion layer)：半导体中的某种区域，其中儿乎所有载流f都在电场作用下被．¨出淀积( deposition)：通过化学反应形成薄膜层的工艺过程材料在晶圆表面形成并覆盖晶圆设计规则( design rule)：电路的最小元件尺寸显影目检( develop inspection)：光刻掩膜过程的第一步日检。含对关键尺度的测量和缺陷日榆：通常会存显影后或显影及硬烘焙（如果有自动烘焙系统）后进行，显影( development)：光刻胶I：艺过程．，在经过芯片制造r艺中的掩膜和曝光后，所确定的区域光刻胶被去除的过程，，