- 电流探头是信号端口传导骚扰测试的关键设备2017/6/6 20:57:35 2017/6/6 20:57:35
- 电流探头是信号端口传导骚扰测试的关键设备。图1.34是信号端口传导骚扰测试配置图,从图1.34中可以明确看到电流探头实质上测试的就是EUT电缆上的共模电流。L1117-3.3当然与单极天线或偶极...[全文]
- 半无穷大样品的测量2017/6/3 22:40:35 2017/6/3 22:40:35
- 半无穷大样品的测量(如硅棒)。将I作选择开关旋至“调节”,“电流量程”为1mA,“电压量程”为~9OmV,按下电流开关,调节电流电位器,显示器显示值为6.28,调节好后按电流开关使之弹出,断开。...[全文]
- 某些环境条件的变化引发电路失效2017/6/2 22:13:41 2017/6/2 22:13:41
- 某些环境条件的变化引发电路失效(如温度、湿度等);偶然错误,但通常都是严重失效,如连接错误等。VEJ471M1E1010-TR0其中①、③和④通常只是引起电路功能偏离...[全文]
- 干扰错误2017/6/2 22:04:58 2017/6/2 22:04:58
- 电路中的节点也可能由于短路等原因,在其周罔节点的动作下,被错误地影响为0或1。由于这VEJ221M1VTR-0810种失效机理与干扰错误链上节点间逻辑上的相互独立性有关,困此在没有考虑到具体工艺...[全文]
- 可靠性测试2017/6/2 21:54:06 2017/6/2 21:54:06
- IC的可靠性包含了许多方面,从设汁、I艺到封装、测试,也就是说一个￡产品从开发到最后出厂,VEJ101M1V0810-TR0每个环节都涉及它的可靠性。￡的生产流程常常有巢几十步甚至上百步,其中的...[全文]
- 集成电路测试技术 2017/6/2 21:16:47 2017/6/2 21:16:47
- 微电子产品特别是集成电路的生产,要经过几十步甚至几百步的工艺,其中任何一步的错误,都VE-102M1E1313-TR0可能是最后导致器件失效的原因。同时版图设计是否合理,产品可靠性如何,这些都要...[全文]
- 低势垒高度的欧姆接触2017/5/29 17:08:16 2017/5/29 17:08:16
- 当金属功函数大于p型而小于n型硅的功函数时,金属与半导体接触可以形成理想的欧姆接触。IL3585E但是,由于受金属/半导体界面的表面态的影响,在半导体表面会感应出空间电荷区(层),形成接触势垒。...[全文]
- 理想的刻蚀工艺必须具有以下特点2017/5/27 21:00:46 2017/5/27 21:00:46
- 对于早期器件的刻蚀工艺,一般来说要求刻蚀深度均匀、选择比好、掩膜能完M95256-WDW6TP全传递和侧壁的陡直度好。随着新型器件的不断出现,对于刻蚀工艺也提出了越来越多的要求,形貌方面比如圆包...[全文]
- 极紫外光刻(EUV)2017/5/27 20:32:58 2017/5/27 20:32:58
- 2001年4月,EUV`有限责任公司(EUVLLC)推出了第一台全尺寸EUV深度紫外线光刻机原型。EUVLLC是由一些全球领先的芯片制造商和3个美国能源部研究实验室组成的联盟。H5007T成员包...[全文]
- 光学邻近效应校正技术2017/5/26 21:09:09 2017/5/26 21:09:09
- 光学邻近效应是指在光刻过程中,由于掩膜上相邻微细图形的衍射光相互干涉而造成像面光强分布发生改变,使曝光得到的图形偏离掩膜设计所要求的尺寸和形状,如图10△5所示是光学邻近效应的示意图。SCDS7...[全文]
- 微粒数量和金属含量2017/5/26 20:47:29 2017/5/26 20:47:29
- 光刻胶的纯净度与光刻胶中的微粒数量和金属含量有关。为了满足对光刻胶中微粒数蚩的控制,光刻胶在生产的过程中需要经过严格的过滤和超净的包装。通过严格的过滤和超净的包装,可以得到高纯度的光刻胶。SBJ...[全文]
- 半导体工业发展到今天已经基于一个成熟的平台2017/5/25 21:50:37 2017/5/25 21:50:37
- 随着工艺节点的不断提升,掩模板的制造成本也呈直线攀升。一套130nm的掩模板的平均价格为40万美元,90nm为60万美元,65nm为70万美元,45nm为120万美元,32/28nm为250万美...[全文]
- 氧化铁版在使用上还有以下优点2017/5/25 21:24:12 2017/5/25 21:24:12
- 氧化铁版在使用上还有以下优点:①在观察光源波长下是透明的,而在曝光光源波长下是不透明的。由于这S-24c01BFJ-TB一特性,掩膜对可见光透明而阻挡紫外线通过,囚而允许在光刻时通...[全文]
- 玻璃基板的制备2017/5/25 21:15:09 2017/5/25 21:15:09
- 挑选好的制版玻璃。通过切ACS712ELCTR-20A-T割、铣边、例棱、倒角、粗磨、精磨、厚度分类、粗抛、精抛、超声清洗、检验、平坦度分类等I序后,制成待用的衬底玻璃。铬膜的蒸发...[全文]
- 小岛2017/5/24 22:06:41 2017/5/24 22:06:41
- 小岛,是指在应该将氧化层刻蚀干净的扩散窗口内,还留有没有刻蚀干净的氧化层局部区域,它HAT3018RJ-EL-E的形状不规则,很像“岛屿”,尺寸一般比针孔大些,习惯上称这些氧化层“岛屿”为小岛。...[全文]
- 坚膜2017/5/24 21:43:10 2017/5/24 21:43:10
- 和前烘一样,坚膜也是一个热处理步骤。坚膜就是在一定的温度下,对显影后的衬底进行烘焙。其的主要作用是除去光刻胶中剩余的溶剂,增强光刻胶对硅片表面的附着力,同时提HAT2199R-EL...[全文]
- 设备条件是了解所用蒸镀设各的情况2017/5/22 19:44:00 2017/5/22 19:44:00
- 设备条件是了解所用蒸镀设各的情况,确定可蒸镀的薄膜及操作方法。电子束L3G4200DTR蒸镀设各是当前使用最多的设备,它可以制各的薄膜材料范围广泛,如常用金属、难熔金属、合金、化合物等。但是,电...[全文]
- 液态TEOS源通常置于源瓶中用载气鼓泡方式携带2017/5/19 21:43:28 2017/5/19 21:43:28
- 常用的APCVD方法是用TEOS/03系统来淀积SK)2。TEOS是有机物质,常温时为液态,凝固点为-77℃,沸点为168.1℃。液态TEOS源通常置于源瓶中用载气鼓泡方式携带,同时用自身独立的...[全文]
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