目前,常用的反应剂有二种:硅烷系统,主要是sH1/O2、⒏H/N20;正硅酸乙酯E记为TEC)s,分子式为s(oH5O)1]系统,主要TEOS/02、TEOS/O3;二氯硅烷系统,有SlH2C12/N20。在上述反 K4B1G1646G-BCH9应剂系统中,硅源TEOS与衬底的黏滞系数小,约比硅烷小一个数量级。所以再发射能力和表面迁移能力都强,采用TEOS为硅源淀积的二氧化硅薄膜的台阶覆盖特性好于以硅烷为硅源的反应剂系统。需要在有高深宽比微结构的衬底上淀积氧化层时,为了得到更好的合阶覆盖特性,一定要选择TEOS为硅源。

    薄膜的质量控制除了在7.2,3节中介绍的台阶覆盖、应力等特性之外,作为介质薄膜时,介质电特性很重要;作为掺杂掩膜时,抗腐蚀性很重要;作为保护膜时,薄膜成分及稳定性很重要。因此,在不同的应用场合,对CVD si()2薄膜质量特性的要求不同,考指标也就不同,通常与常规考查方法有所区别。例如,考查CVDsio2薄膜的致密性,通常可由膜在氢氟酸腐蚀液中的腐蚀速率来粗略判断,腐蚀速率越快,薄膜密度越低。另外,通常把CVD slf,2薄膜的光学折射系数″与热生长二氧化硅薄膜的折射系数(l,46)的偏差作为衡量SK)2薄膜质量的一个指标。当薄膜的折射系数>1.46时,表明该薄膜是富硅的;当″1,46时表明是低密度的疏松薄膜。