当金属功函数大于p型而小于n型硅的功函数时,金属与半导体接触可以形成理想的欧姆接触。 IL3585E但是,由于受金属/半导体界面的表面态的影响,在半导体表面会感应出空间电荷区(层),形成接触势垒。因此,即使是低势垒高度,当半导体表面掺杂浓度较低时,也很难形成理想的欧姆接触。其实,这种情况的金属与半导体接触是肖特基接触,如铂与p型硅就是这种肖特基接触。

   高复合中心欧姆接触

   当半导体表面具有较高的复合中心密度时,金属一半导体间的电流传输将主要受复合中心产生一复合机构所控制。高复合中`b密度会使接触电阻明显减小,伏安特性近似对称,在此情况下,半导体

也可以与金属形成欧姆接触。电力半导体器件接触电极、r背面金属化(如硅片背面蒸金)常采用这种方式形成欧姆接触。引人高复中心的方法还有很多,如喷砂、离子注人、扩散原子半径与半导体原子半径相差较大的杂质等。