热丝化学气相淀积(Hot Ⅶre CVD)是一种新近发展起来的CVD薄膜制备方法。它采K4B1G0846G-BCK0用高温热丝分解前驱气体,通过调节前驱气体组分配比和热丝温度而获得大面积的高质量淀积薄膜。例如,用⒏H4(H2)制备HWCⅥ)多晶硅薄膜。用钨丝作为热丝,热丝温度为18∞℃,衬底温度为250℃,淀积室真空度为42Pa,衬底与热丝距离为48mm。⒊H4在热丝处分解为游离态的Sl和H,s被衬底吸附生成多晶硅,两个H生成H2离开。

    HWCVD方法具有设各简单、淀积温度低、不引人等离子体等优点。

   激光诱导化学气相淀积

   激光诱导化学气相淀积(I'aser CVD,LCVD)是将激光应用于常规C0VD的一种新技术。通过激光活化反应剂气体使化学反应能在较低温度下进行,即激光能转化为化学能,在这个意义上LCVD

类似于PECVD。LCVD方法是用激光束照射淀积室内的反应剂气体,激发并维持化学反应发生,固态生成物淀积在衬底上生成薄膜。LCX/D的最大优点是不直接加热衬底,空问选择性好,甚至可以使薄膜生长限制在衬底的任意微区内,进行选择淀积,而且淀积速率也较快。

   金属有机物化学气相淀积

   金属有机物化学气相淀积(MCrVD)是一种利用低温下易分解和挥发的金属有机化合物作为源进行化学气相沉积的方法,和在3,4.3节中介绍的ⅣK几呃方法类似。MOCVD的淀积温度相对较低,更容易控制薄膜成分,可以在形状复杂的衬底上形成厚度均匀、结构致密附着力良好的超薄薄膜。