干法氧化通常用来形成栅极二氧化硅膜，要求薄、界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当sio2膜较薄时，膜厚与时间成正比。sio2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较 厚的sio2膜，需要较长的氧化时间。sio2膜形成的速度取决于经扩散穿过sio2膜到达硅表面的o2及oh基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因oh基在sio2膜中的扩散系数比o2的大。氧化反应时，si 表面向深层移动，距离为sio2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的sio2膜，去除后的si表面的深度也不同。sio2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。