- SEMI的全球半导体设备市场报告称2017/11/24 20:49:08 2017/11/24 20:49:08
- SEMI的全球半导体设备市场报告称,⒛14年半导体制造设备的销售额(新产品)将达到比上年增加193%的380亿美元,⒛15年的销售额将比上年增加15,2%,H57V2562GTR-60C接近“0...[全文]
- SEMI的全球半导体设备市场报告称2017/11/24 20:49:06 2017/11/24 20:49:06
- SEMI的全球半导体设备市场报告称,⒛14年半导体制造设备的销售额(新产品)将达到比上年增加193%的380亿美元,⒛15年的销售额将比上年增加15,2%,H57V2562GTR-60C接近“0...[全文]
- CTC控制软件架构及sEMI标准2017/11/24 20:38:02 2017/11/24 20:38:02
- CTC控制软件架构及sEMI标准,论述了CTC实时调度系统框架模型,该模型分为监督控制层、H1164NL模块管理层、模块控制器层;接着介绍了通信协议的分析与设计过程,包括SEMI标准sECs-I...[全文]
- 中频熔炼炉的炉壁太薄2017/11/23 21:05:13 2017/11/23 21:05:13
- 故障分析及处理:产生此故障的原因如下。(1)中频熔炼炉的炉壁太薄。炉壁太M02362J1631薄则感应线圈与冶炼工件的互感增大,漏感减少,直流等效电阻减小。启动时的电流大、电压低,...[全文]
- 片划片工作时的照片2017/11/22 21:19:59 2017/11/22 21:19:59
- 一般切割刀片可以达到最小的切割宽度为40um左右。若用雷射光取代切割刀片可将切割宽度减小到20um。OB2532所以使用窄小的切割道的特殊芯片必须用雷射光切割。对于厚芯片或堆叠多层芯片的切割方式...[全文]
- 储存器的数据储存模式和失效模型是相关的2017/11/21 21:46:51 2017/11/21 21:46:51
- 储存器的数据储存模式和失效模型是相关的。包含地址行进方式,数据写人和读出方式,0或1数据在储存器内构成的图形,组合成测试图形(tcstpattern)。TCLT1600用以下记法来简单说明储存器...[全文]
- 储存器测试流程2017/11/21 21:45:35 2017/11/21 21:45:35
- 储存器的封装测试流程如下。(1)第一道圆片测试(wafersort1,W/S1):做基本的参数测试,功能测试。最特别的是测试芯片是否可以修复;如果可以,修复地址会被记录。TC7WH...[全文]
- 储存器测试流程2017/11/21 21:45:34 2017/11/21 21:45:34
- 储存器的封装测试流程如下。(1)第一道圆片测试(wafersort1,W/S1):做基本的参数测试,功能测试。最特别的是测试芯片是否可以修复;如果可以,修复地址会被记录。TC7WH...[全文]
- 良率分解方法(yield break down method)2017/11/21 21:22:32 2017/11/21 21:22:32
- hmitedyield的概念引人,对于产品失效机制的分析、排序提供了一种客观的量化方法。TA7607AP对于实际工艺线上的产品,有必要利用这种方法,把yieldloss分解为独立的组成部分,对y...[全文]
- 学习周期(learnmg qcle)2017/11/20 19:51:12 2017/11/20 19:51:12
- 学习周期(learnmgqcle)SAF-C515C-8EM集成电路的高速发展,市场激烈的竞争,对于先进制程的良率提升提出了很高的要求。yield的提升,实质上是一个yiCldle...[全文]
- 失效机制分类2017/11/19 17:29:21 2017/11/19 17:29:21
- 对于工艺引起的yiCldloss,按照失效的特征分为两大类:参数性(par【amctric)和功能性(functionaD失效。OMAP1510GZZG1一般的理解,功能性失效,往往由于...[全文]
- 原子力显微镜 2017/11/18 16:57:20 2017/11/18 16:57:20
- 原子力显微镜(AtomicForceMicroscopy,AFM)是扫描探针显微镜(ScanningProbcMicros∞pe,SPM)的一种,它利用非常细小的探针,非常缓慢地在材料表面移动,...[全文]
- 应力迁移 2017/11/17 22:13:24 2017/11/17 22:13:24
- 把集成电路芯片放在一定温度下存放一定时间,但并不施加电流。在有些情况下,我们也可以观察到有些金属导线上出现了空洞,甚至完全断开,如图5,12所示。U05G4B48这种现象称之为应力迁移(Stre...[全文]
- 电压斜坡(V-ramp)和电流斜坡(J-ramp)测量技术 2017/11/17 22:05:21 2017/11/17 22:05:21
- 电压斜坡(V-ramp)和电流斜坡(J-ramp)测量技术在制造业环境中,TDDB测试太费时而不适合作为制程监控方法。电压斜坡测试(Ⅵrtamp),UDA1334ATS/N2是一种...[全文]
- 原子力显微镜是用来研究包括绝缘体在内的固体材料表面结构的分析仪器2017/11/15 20:14:10 2017/11/15 20:14:10
- 纳米探针的种类按照使用平合来分可以分为基于原子力显微镜(AFM)的原子力探针显微镜和基于扫描电子显微镜(SEM)的扫描电子探针显微镜。TC4S66F原子力显微镜是用来研究包括绝缘体...[全文]
- OBIRCH雷射注入技术在90nm制程失效分析中的运用2017/11/14 21:05:44 2017/11/14 21:05:44
- >的光反射显微镜不能用来探测短路、P87C51RB+5A欧姆特性的缺陷;进入到O.35um~0・18r火m铝互连制程,由于工作电压降低,图形的密度越来越高以及功耗的减少,液晶技术对...[全文]
- oBIRCH/XIⅤA案例分析2017/11/14 21:03:09 2017/11/14 21:03:09
- >分析。PTH12020WAH线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如金属互连线条中的空洞、通孔下的帘洞,通孔底部高阻L×等;也能有效地检测短路或漏电,是发光显微技...[全文]
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