储存器的数据储存模式和失效模型是相关的
发布时间:2017/11/21 21:46:51 访问次数:548
储存器的数据储存模式和失效模型是相关的。包含地址行进方式,数据写人和读出方式,0或1数据在储存器内构成的图形,组合成测试图形(tcst pattern)。 TCLT1600用以下记法来简单说明储存器测试图形。
x:表示行地址。x个表示是行地址由0递增到最大行地址;xψ表示是行地址由最大行地址递减到0。
y:表示列地址。y忄表示是列地址由0递增到最大列地址;yψ表示是列地址由最大列地址递减到0。
w0/w1:表示写入储存器的数据,分别为写入0或1。
rO/r1:表示读出储存器的数据,分别为读出0或1。
储存器的数据储存模式和失效模型是相关的。包含地址行进方式,数据写人和读出方式,0或1数据在储存器内构成的图形,组合成测试图形(tcst pattern)。 TCLT1600用以下记法来简单说明储存器测试图形。
x:表示行地址。x个表示是行地址由0递增到最大行地址;xψ表示是行地址由最大行地址递减到0。
y:表示列地址。y忄表示是列地址由0递增到最大列地址;yψ表示是列地址由最大列地址递减到0。
w0/w1:表示写入储存器的数据,分别为写入0或1。
rO/r1:表示读出储存器的数据,分别为读出0或1。
相关技术资料- 11-21储存器的数据储存模式和失效模型是相关的
热门点击
- 电烙铁的功率与烙铁头温度对应关系
- 应力迁移
- 电压斜坡(V-ramp)和电流斜坡(J-ra
- 整流滤波后的电压值还会受到电网电压波动和负载
- oBIRCH/XIⅤA案例分析
- 金属钛湿法刻蚀
- 套刻精度一般由光刻机上移动平台的步进
- 直拉法制各的单晶硅,称为CZ硅
- 片湿法刻蚀过程原理
- OBIRCH雷射注入技术在90nm制程失效分
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
