OBIRC)H/ⅪVA用于探测漏电通路。OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析。PTH12020WAH线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如金属互 连线条中的空洞、通孔下的帘洞,通孔底部高阻L×等;也能有效地检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。某一电路系统失效,由于系统复杂,其他方法未能确认出失效原因,利用OBIRCH方法找到r失效机理。图1准,9是某一电路系统局部的oBIRCH图。

    图14.9(a)是OBIRCH定位到芯片内部某一电路系统失效位置,箭头所指的红、绿点表示芯片内部在这块Lx域出现高阻抗和低阻抗;绿线条表示芯片内部某一电路系统通电流路径,晶片内部线路漏电路径分析图。(,BIRCH分析偏置条件为电压=0.51V,电流=2.72mA。图14.9(b)是OBIRCH定位到芯片内部某一电路系统失效位置,箭头所指表示芯片内部在这块区域出现高阻抗和低阻抗;晶片内高阻抗及低阻抗分析。()BIRCH分析测试条件为电压0。lOV,电流0.408mA。