位置:51电子网 » 技术资料 » IC/元器件

片划片工作时的照片

发布时间:2017/11/22 21:19:59 访问次数:1126

   一般切割刀片可以达到最小的切割宽度为40um左右。若用雷射光取代切割刀片可将切割宽度减小到20um。OB2532所以使用窄小的切割道的特殊芯片必须用雷射光切割。对于厚芯片或堆叠多层芯片的切割方式,也建议使用雷射光切割。因为用一般切割刀片切割,在使用特别的刀片下,勉强可以切割∷层堆叠的芯片:昕以雷射光切割比较好c刀片划片丁作时的照片如图19,4所示。

   

   有些芯片在划片时为了达到特殊的芯片表面保护效果,同一切割道要切割两次。此时第一次切割时用的刀片比较宽,第二次切割时用的刀片比较窄。切割时要特别注意,不可切穿芯片背面的蓝膜。若切穿蓝膜会造成芯片颗粒散落,后序的贴片工艺无法进行。

   划片时洁净水的电阻值要控制在1MΩ之下,以保护芯片颗粒不会有静电(ESD)破坏的问题。

   一般划片时移动的速度为50mm/s。

  一般划片时的刀片旋转的速率为38000r/min。

   划片完成后,还需要用洁净水冲洗芯片表面,保证芯片L打线键合区不会有硅粉等残留物,如此才能保证后序打线键合丁艺的成功良品率。有时在洁净水中还要加入清洁用的化学药剂及二氧化碳气泡,以便提高清洁的效果及芯片表面清洁度。


   一般切割刀片可以达到最小的切割宽度为40um左右。若用雷射光取代切割刀片可将切割宽度减小到20um。OB2532所以使用窄小的切割道的特殊芯片必须用雷射光切割。对于厚芯片或堆叠多层芯片的切割方式,也建议使用雷射光切割。因为用一般切割刀片切割,在使用特别的刀片下,勉强可以切割∷层堆叠的芯片:昕以雷射光切割比较好c刀片划片丁作时的照片如图19,4所示。

   

   有些芯片在划片时为了达到特殊的芯片表面保护效果,同一切割道要切割两次。此时第一次切割时用的刀片比较宽,第二次切割时用的刀片比较窄。切割时要特别注意,不可切穿芯片背面的蓝膜。若切穿蓝膜会造成芯片颗粒散落,后序的贴片工艺无法进行。

   划片时洁净水的电阻值要控制在1MΩ之下,以保护芯片颗粒不会有静电(ESD)破坏的问题。

   一般划片时移动的速度为50mm/s。

  一般划片时的刀片旋转的速率为38000r/min。

   划片完成后,还需要用洁净水冲洗芯片表面,保证芯片L打线键合区不会有硅粉等残留物,如此才能保证后序打线键合丁艺的成功良品率。有时在洁净水中还要加入清洁用的化学药剂及二氧化碳气泡,以便提高清洁的效果及芯片表面清洁度。


上一篇:划片(Wafer saw)

上一篇:贴片(Die Attach)

相关IC型号
OB2532
暂无最新型号

热门点击

 

推荐技术资料

单片机版光立方的制作
    N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!