可根据需要选择不同方法沉积氮化硅薄膜。当作为选择氧化的掩蔽膜或者作为 DRAM中电容的介质层时,AD7892ARZ-3REEL7由于考虑到薄膜的均匀性和工艺成本,氮化硅通常是在中温(⒛0~8oo℃)下用LPCVD技术沉积的。当用作最终的钝化层时,沉积工艺必须和低熔点金属(例如Al)兼容,这时氮化硅沉积就必须在低温(⒛0~4oo℃)下进行。对于这种低温沉积,首选沉积方法是PECVD,因为它可以在200~钔0℃温度下沉积氮化硅薄膜。然而,PECVD氮化硅往往是非化学配比的,含有相当数量的氢原子(10%~3o%),因此有时候化学表示式写为SidyHz。比较CVD氮化硅的折射系数和热生长氮化硅折射系数,可以很容易地估算出CVD氮化硅薄膜的化学配比情况,高折射系数表明薄膜中含硅量多,低折射系数表明薄膜中含有氧。氮化硅中的氧以si―0形式存在薄膜中,这是由于真空漏气、气体受到污染、真空度不高等原因造成的,氧的存在可能会使刻蚀速率加快。折射系数通常在1.8~2.2之间,理想的数值为2,0。