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指数脉冲激励源应用2016/4/18 20:55:16
2016/4/18 20:55:16
1.SFFM激励源的功能及模型SFFM激励源(单频率FM激励源)MMSZ5232BT1G产生以正弦波信号作为载波的调频信号,v其数学模型如下:V—VO+VAsiri(...[全文]
仿真模型元器件制作2016/4/17 17:46:59
2016/4/17 17:46:59
在第5章实例的基础上,创建EFM304-W一个16位十进制计数器元器件,制作元器件模型一般包括元器件模型原理图符号、模型封装设计、模型内电路设计、模型仿真验证、建立元器件模型文件等内容,其制作流...[全文]
Packings属性对话框2016/4/16 19:28:31
2016/4/16 19:28:31
Packings属性对话框修改元器件属性后单击Next按钮进入Packagings属性对话框,如图6-10所示。Add/Edit:MMSZ5241BT1G添加或者编辑...[全文]
层次电路浏览2016/4/16 18:57:59
2016/4/16 18:57:59
(1)利用快捷键进行切换浏览。在父图或子图中按PageUp或PageDown键可实现电路之间的切换浏览。(2)利用GotoSheet命令。选择菜单Des...[全文]
屡次电路2016/4/15 20:08:45
2016/4/15 20:08:45
对于简单的电路图,可以GM1601H-LF-BD在一张原理图中绘制,但对于复杂的电路图,这样将导致原理图的图纸尺寸变得很大。这样不便于浏览整个电路图,更重要的是很难把握整个电路的结构和层次。此时...[全文]
电阻基本概念2016/4/13 21:55:05
2016/4/13 21:55:05
电阻器是对电流流动具有一定阻抗力的器件,一般将电阻器简称为电阻。常用的F4-75R12MS4电阻分为3类。阻值固定的电阻称为普通电阻或者固定电阻;阻值可持续可变化的电阻称为可变电阻(包括微调电阻...[全文]
光谱功率分布2016/4/12 19:49:55
2016/4/12 19:49:55
光源输出的功率与光谱有关,即与光的波长A有关,称为光谱的功率分布。常见的ABM3B-13.000MHZ-B2有四种典型的分布。图中(a)为线状光谱,由若干条明显分隔的细线组成,如低压汞灯;(b)...[全文]
光的偏振调制是指利用外界因素2016/4/12 19:32:29
2016/4/12 19:32:29
下面以暗条纹为例,利用以上ICE3B0565J规律进行测量应用。当半波带数后为偶数时,P点光强度为零(暗点)bsincp=土2k舍(后=1,2,…),由图2-40可知,sincip=1一,设P点...[全文]
0~ 33V可调电源设计2016/4/10 17:15:33
2016/4/10 17:15:33
电源电路是模拟电路中的典型电路,HCPL-7850节以图2-120所示的可调电源电路(0~33V)为例讲解SchematicCapture原理图绘制(示例见配套电子资源chap2中的0~33V....[全文]
矩形及其风格设置2016/4/10 16:56:43
2016/4/10 16:56:43
单击模式工具栏内的■}(2DGraphicBoxMode)按钮,进入2D图形画矩形模式,对HCPL4506-000E象选择器内显示矩形的风格,如图2-104所示,在对象选择器中选择一种风格,在期...[全文]
Style选项卡2016/4/9 20:03:30
2016/4/9 20:03:30
Style选项卡主要设置标签字体格式等参数,如图2-96所示。取消FollowGlobal项HA17358A则所有参数可以修改。Fontface:字体格式。下拉列表中的选项有Hei...[全文]
相邻节点收到该请求消息以后就会把自己的层次号发送给新节点2016/4/8 20:32:32
2016/4/8 20:32:32
如果有一个新节点被部署到网络中,该节点必须等待分层消息以确定自己的层次号;D36NH02L如果在一定时间内没有得到层次号,那么该节点就要发出分层请求消息。相邻节点收到该请求消息以后就会把自己的层...[全文]
RBS协议也可以推广到多跳的情况2016/4/8 20:29:12
2016/4/8 20:29:12
RBS协议也可以推广到多跳的情况。D2NK60Z如果有几个各自独立的参考节点,它们有各自的广播域,而且这些广播域有重叠的部分,那么位于重叠区域的接收节点就可以作为“翻译节点”,这样处于不同广播域...[全文]
微观技术在公众的感觉中意味着“小”2016/4/7 22:55:01
2016/4/7 22:55:01
微观技术在公众的感觉中意味着“小”,在科学中是指十亿分之一。因此,特征图AD8185ARU形尺寸和栅条的宽度以微米(micrometer)来表示,如0.018ym。纳米(1×10』m)正在被广泛...[全文]
半导体集成电路的制造主要在中规模集成电路( MSI)的水平2016/4/7 22:52:29
2016/4/7 22:52:29
在20世纪70年代初,半导体AD8139ARDZ集成电路的制造主要在中规模集成电路(MSI)的水平,向有利润并高产的大规模集成电路(LSJ)的发展在某种程度上受到了掩模版引起的缺陷和由接触光刻机...[全文]
开始用锗材料制造小量的简单器件2016/4/7 22:51:18
2016/4/7 22:51:18
贝尔实验室又构思出了在晶圆的表面沉积一层称为外延层(epitaxiallayer)的高纯度膜,AD8132ARMZ再在其j二形成晶体管的技术(见第12章),使用这种技术町制作出更高速度的晶体管,...[全文]
采用Integrated Application Framework新技术2016/4/6 21:23:33
2016/4/6 21:23:33
采用IntegratedApplicationFramework新技术,将上述3个模块集成在一个界而内,ADM811LART-REEL7实现了真正一体化的EDA设计理念。这3个软件可以运行在一个...[全文]
固体溶解在铝膜中的硅原子2016/4/4 20:52:43
2016/4/4 20:52:43
(1)形成固溶体铝在硅中几乎不溶解,AD8232ACPZ而硅在铝中有一定溶解度,在共晶点577℃时达到原子比最大值1.59%。铝与硅反应是铝先与天然的Si02层反应,穿透S102后...[全文]
金属互连线的铝条内有一定电流通过2016/4/4 20:43:25
2016/4/4 20:43:25
当器件工作时,AD8108AST金属互连线的铝条内有一定电流通过,金属离子会沿导体产生质量的运输,其结果会使导体的某些部位产生空洞或晶须(小丘),这即电迁移现象(Electromigration...[全文]
确定失效率等级的置信度2016/4/2 10:52:12
2016/4/2 10:52:12
1)所有鉴定试验的样品必须从经过筛选合格的产品中随机抽取;2)若采用加速试验,AD1859JRS则加速失效机理与正常失效机理是相同的,并且用定量方法确定出加速系数。对于6级或6级以...[全文]
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