栅形成
发布时间:2016/6/18 20:49:07 访问次数:643
N、P阱制作完成后,接着去除氧化层并对硅片进行清洗,然后在800℃下热生长栅氧化层。 OP220GS-REEL7再沉积多晶硅作为栅极,如图4.7所示。
图4.7 栅氧生长及多晶硅沉积
栅极多晶硅沉积完成后采用绀光刻版进行栅极光刻,采用干法腐蚀将不需要的多晶硅腐蚀掉,最终形成器件的栅极及多晶互连,如图48所示。
N、P阱制作完成后,接着去除氧化层并对硅片进行清洗,然后在800℃下热生长栅氧化层。 OP220GS-REEL7再沉积多晶硅作为栅极,如图4.7所示。
图4.7 栅氧生长及多晶硅沉积
栅极多晶硅沉积完成后采用绀光刻版进行栅极光刻,采用干法腐蚀将不需要的多晶硅腐蚀掉,最终形成器件的栅极及多晶互连,如图48所示。
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