改进措施
发布时间:2016/6/22 21:24:03 访问次数:392
(1)改用低吸湿性树脂,提高树Q2006DH3脂纯度,减少其中所含Na+、C「等有害杂质。
(2)降低树脂的热膨胀系数,添加耦合剂,改变引线框架形状,以改善材料间黏合强度,防止引线框和树脂界面间进入水分。
(3)芯片表面加钝化层保护,如氮化硅、二氧化硅、磷硅玻璃、有机涂料或聚酰亚胺等,其中以等离子体沉积的氮化硅薄膜效果明显,不过键合处仍不能保护。
(4)开发耐腐蚀布线材料和工艺,如利用等离子体放电的铝表面氧化,利用As、P等的离子注入提高铝布线膜质,另外在纳米工艺技术中,用铜代替铝作互连线使用。
(1)改用低吸湿性树脂,提高树Q2006DH3脂纯度,减少其中所含Na+、C「等有害杂质。
(2)降低树脂的热膨胀系数,添加耦合剂,改变引线框架形状,以改善材料间黏合强度,防止引线框和树脂界面间进入水分。
(3)芯片表面加钝化层保护,如氮化硅、二氧化硅、磷硅玻璃、有机涂料或聚酰亚胺等,其中以等离子体沉积的氮化硅薄膜效果明显,不过键合处仍不能保护。
(4)开发耐腐蚀布线材料和工艺,如利用等离子体放电的铝表面氧化,利用As、P等的离子注入提高铝布线膜质,另外在纳米工艺技术中,用铜代替铝作互连线使用。
相关技术资料- 6-22改进措施
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