- 三相异步电动机的基本结构2015/11/18 20:00:18 2015/11/18 20:00:18
- 转子是电动机的转动部分，它是由转轴、转子铁心和转子绕组组成的。电动机K4H511638G-HIB3转轴一般是用碳钢制成，用以支撑转子铁心和传递功率，两端放置在电动机端盖内的轴承上。转子铁心也是采...[全文]
- 集成电路( integrated circuit)2015/11/17 19:23:54 2015/11/17 19:23:54
- 亲水性(hydrophilic)：与水亲DLI4060B近（喜水性），一个亲水性表面允许水在其E的较大范匍内扩展厌水性(hydrophobic)：不易与水亲近，一个厌水性表面—般不会存留大片的水...[全文]
- 环境适应性测试2015/11/16 19:00:05 2015/11/16 19:00:05
- 环境测试可以清除出密封不严和有缺陷的封装器件。所测出的缺陷表现为松动的芯片、FDZ209N污染物和在贴片凹腔内的尘埃以及错误的连线压焊。这一系列的测试首先由稳定性烘焙开始，这里会将封装器件中所有...[全文]
- 芯片的特性2015/11/15 13:54:43 2015/11/15 13:54:43
- 本书中涉及了分立式器件及集成电路的多种特性。有些特性是由封装设计和封装'I-艺直接衍生出来的（见图18.3）。芯片的密度（集成度）决定了所需外部连接点的数目，TMS320DM365ZCE30集成...[全文]
- 存储器的其他类型有读和写( read and write)的能力2015/11/14 16:29:44 2015/11/14 16:29:44
- 只读存储器：在集成IR3084MTR电路中，只读存储器(ROM)是主要的非易失性存储器。ROM代表只读存储器(read-onlymemory)。这种电路的唯一功能是给出预先编码的信息。电路中所需...[全文]
- 具有亮场与暗场功能的混合系统2015/11/11 19:04:57 2015/11/11 19:04:57
- 一些系统集成了亮场和暗场观测，并加工信息使其生成图像和数据库（见图14.26】。图HCPL-0721-000E像处理工艺的发展允许使用自动缺陷和图案失真探测仪器，此仪器结合图片处理和计算机技术，...[全文]
- 晶圆的颜色就会按照一个特定顺序变化2015/11/10 19:48:30 2015/11/10 19:48:30
- 当镀膜变得越来越厚时，IRF2804晶圆的颜色就会按照一个特定顺序变化，并不断重复。我们把每一个颜色的重复称为一个顺序(>分必要的，、颜色规则表的主要用途是为了工艺控制。每一个氧化...[全文]
- 电化学镀膜2015/11/9 19:47:48 2015/11/9 19:47:48
- 由r电镀的低温和低成本，AD8031ARTZ-REEL7它已成为产生铜淀积的疗法167如果用于低矗介质层，必须是低温种籽层必须均匀地覆盖在通孑L／沟槽的底部和侧面，以确保铜金属导线的物理和电特性...[全文]
- 向相关的晶圆生长问题是图形偏移2015/11/8 18:14:07 2015/11/8 18:14:07
- 向相关的晶圆生长问题是图形偏移(patternshift)，当淀积速率太高并且薄膜在生长时相对于晶圆表面存在角度时，就会发生图形偏移。HCPL-0720当依赖于薄膜表面台阶的位置与衬底的图形对准...[全文]
- 连续传导加热APCVD2015/11/7 22:09:15 2015/11/7 22:09:15
- 两种水平热传导的APCVD系统的功能是将反应室外的气体混合在一起，GD75232PWR并将气体“喷洒”在晶圆上。其中一种设计是将被加热的板式晶圆托架在一系列的气体申前后移动（见图12.15）；另...[全文]
- 离子注入层的评估2015/11/6 19:27:09 2015/11/6 19:27:09
- 对离子注入晶圆的评估基本同扩散层的评估一样。采用四探针测试仪测试该层的方块电阻。AD7548JP扩散电阻技术和电容一电压技术决定剖面浓度、剂量和结深。结深也可以由斜角染色法来决定．，这些方式将在...[全文]
- 氧化的影响2015/11/5 18:27:42 2015/11/5 18:27:42
- 晶圆表面的氧化影响到杂质的最终分布弘。这种影响与表层杂质氧化后的易位有关。AD667KR回想一下，硅的氧化是需要从表面开始消耗硅的。要问的问题是，表层的杂质发生了什么？答案由杂质的导电类型而定。...[全文]
- 淀积2015/11/5 18:21:44 2015/11/5 18:21:44
- 淀积（也称为predeposition，dep或predep）在炉管中进行，晶圆位于炉管的恒温区中。AD6620AS掺杂源位于杂质源箱中，它们的蒸气以所需的浓度被送到炉管中（见图11.9）。使用...[全文]
- 等离子体刻蚀环境中有许多剧剽的化学反应2015/11/2 21:03:00 2015/11/2 21:03:00
- 污染、残留物、腐蚀以及拥有成本(COO)：其他要关注的工艺问题还有，微粒的产生、残留物、刻蚀后腐蚀和拥有成本因素，尤其在亚微米的范围内。EL1883ISZ一个减少微粒的尝试是以静电吸附晶圆固定器...[全文]
- 人工显影检验次序2015/11/1 19:01:43 2015/11/1 19:01:43
- 和相对慢的人工检验（见下文）的效率也到了极限。可探测表面和图案失真的自动检验系统成为在线和非在线检验的选择。这些系统将在第14章中描述。L9700D自动检验系统提供了更多数据，反过来，这又使工艺...[全文]
- 一个加热的操作可以使晶圆表面恢复到厌水性条件2015/10/31 19:05:38 2015/10/31 19:05:38
- 一个加热的操作可以使晶圆表面恢复到厌水性条件。针对3种不同的脱水机制脱水烘焙有3种温度范围。EL1881CSZ在150℃~2000C的温度范围内（低温），晶圆表面会被蒸发。到了400℃（中温）时...[全文]
- 光刻十步法工艺过程2015/10/30 22:02:28 2015/10/30 22:02:28
- 把图像从掩模版转移到晶圆表面是由多个步骤图8.8掩模版和光刻胶极性的结果来完成的（见图8.9）。AD8614ART-REEL特征图形尺寸、对准容限、晶圆表面情况和光刻层数都会影响到特定光刻工艺的...[全文]
- 蒸气蒸干法2015/10/27 20:56:27 2015/10/27 20:56:27
- 由经验得出的法则是，充分的RT9167A-33GB冲洗要以流速为每分钟等于冲洗池体积的5倍流量（每分钟的水更换次数）持续冲洗至少5分钟（取决于晶圆的直径）。如果冲洗池的体积为3L....[全文]
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