晶圆表面的氧化影响到杂质的最终分布弘。这种影响与表层杂质氧化后的易位有关。AD667KR回想一下，硅的氧化是需要从表面开始消耗硅的。要问的问题是，表层的杂质发生了什么？答案由杂质的导电类型而定。

   如果杂质为N型，则发生所谓的堆积效应( pile-up)[见图11. 17(a)]。当氧化物一硅的界面提升到表面时，N型杂质原子会向硅中分凝，而不是氧化物中。这个效应增加了硅的新表层中杂质的数量。换言之，N型杂质在晶圆表面堆积，杂质的表面浓度增加。堆积效应改变器件的性能。

   如果杂质为P型的硼，会发生相反的效应。硼原子更容易溶在氧化层中，并被吸到氧化层中[见图11. 17(b)]。对晶圆表面的影响是降低了硼原子的浓度，从而也影响到器件的电性能。图11. 18列出了对淀积与推进氧化步骤的总结。