一个加热的操作可以使晶圆表面恢复到厌水性条件。针对3种不同的脱水机制脱水烘焙有3种温度范围。EL1881CSZ在150℃~2000C的温度范围内（低温），晶圆表面会被蒸发。到了400℃（中温）时，与晶圆表面结合比较松的水分子会离开。当温度超过7500C（高温）时，晶圆表面从化学性质七讲恢复到了厌水性条件。

   在大多数光刻工艺中，只用低温烘焙。因为低温的温度范围可以通过热板、箱式对流传导或真空烤箱很容易达到。低温烘焙的另一个好处就是在进行旋转r艺之前不用花费很长的时间等待晶圆冷却，系统可以很容易地把这一步和旋转烘焙结合起来，进而形成脱水一旋转一烘焙系统。这些加热系统的解释在8. 10节中讲述。

   高温烘焙很少用到。一个原因是750。C高温通常只能通过炉管反应炉才能达到，而炉管反应炉都比较大，而且不能和旋转烘焙工艺结合。第二个原因就是湿度本身。在750℃高温F，晶圆内掺杂结合处能够移动（那不是所希望的），并且晶圆表面的可移动离子污染物可以移入晶圆内部，从而造成器件可靠性和功能方面的问题。