把图像从掩模版转移到晶圆表面是由多个步骤    图8.8掩模版和光刻胶极性的结果来完成的（见图8.9）。AD8614ART-REEL特征图形尺寸、对准容限、晶圆表面情况和光刻层数都会影响到特定光刻工艺的难易程度和每一步骤的工艺。许多光刻工艺都被定制成特定的工艺条件。然而，大部分都是基本光刻十步法的变异或选项。我们所演示的这个工艺过程是一个亮场掩模版和负胶相作用的过程。

   从第1步到第7步发生了第一次图形转移。在第8步、第9步和第1步中，图形被转移转移到r晶圆表面层（第二次图形转移）。使用暗场掩模版和正胶列出工艺步骤并画出相J也的截面图对于读者是个挑战。本书强烈建议读者，一定在掌握基本光刻十步法T艺之后再去学习先进的光刻工艺过程。