污染、残留物、腐蚀以及拥有成本(COO)：其他要关注的工艺问题还有，微粒的产生、残留物、刻蚀后腐蚀和拥有成本因素，尤其在亚微米的范围内。 EL1883ISZ一个减少微粒的尝试是以静电吸附晶圆固定器取代机械式固定器。机械式固定器产生微粒并可导致晶圆碎裂，并且夹持器会遮挡住部分晶圆的表面。静电吸附固定器以晶圆与固定器间的直流( DC)电势来固定晶圆16j。

   等离子体刻蚀环境中有许多剧剽的化学反应，光刻胶中的氢氧基团与卤化物气体发生反应，以形成稳定的金属卤化物（如AIF，、WF，、WF。）和氧化物，例如Ti0，、Ti0和／或WO：这些残留物产生污染问题，并影响有选择性的钨淀积。

   刻蚀后腐蚀是由一些刻蚀后留在金属图形上的残留物引起的。铝中的铜添加物和钛／钨金属化的使用增加了刻蚀后因残留氯化物而引起的腐蚀问题。将这些问题减到最小，包括以氯基刻蚀剂替代氟基的刻蚀剂，钝化侧壁和刻蚀后工艺，如去除残留氯化物或使用氧化来钝化表面坶。其他解决方案包括氧气等离子体处理，发烟硝酸和湿法光刻胶去除工艺步骤1 181。拥有成本因素在第15章中有详细描述。

   图9.23列出了用于不同材料的一般的刻蚀气体。硅和二氧化硅工艺常用氟基的刻蚀剂，铝刻蚀一般使用氯基的气体。