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透明电极基板2016/10/14 21:39:05
2016/10/14 21:39:05
透明电极基板是在玻璃基板表面蒸镀一层氧化铟或氧化锡透明导电层,即ITO膜层,ECJ-1VF1C104Z经过光刻加工制成透明导电图形,形成LCD的电极。1)显示器件对玻璃基板的要求...[全文]
按键板部分2016/10/14 21:29:05
2016/10/14 21:29:05
按键电路安装在按键控制板上,另外,指示灯一般也安装在按键控制板上。E1116ACSE-6E-E按键电路的作用就是使电路通与断,当按下开关时,按键电子开关接通;手松开后,按键电子开关断开。按键开关...[全文]
液晶显示器的构成2016/10/13 20:55:33
2016/10/13 20:55:33
液晶板加上相应的驱动板(也称主板,注意不是液晶面板内的行列驱动电路)、K4S641632H-UC75电源板、高压板、按键控制板等,就构成了一台完整的液晶显示器。图6-z所示是液晶显示器的组成框图...[全文]
各种光学性质2016/10/13 20:44:30
2016/10/13 20:44:30
基于折射率的各向异性,液晶具有以下光学性质,这些性质是LCD工作原理的基础。①光的行进方向会偏向取向屁(分子长轴)的方向。由于液K4S561632N-LI75晶中有尼〃>而⊥...[全文]
检偏指检查入射光的偏振性2016/10/13 20:41:18
2016/10/13 20:41:18
检偏指检查入射光的偏振性。检偏器是由偏振片组成的,通常与起偏器连用。K4S561632N-LC60检偏器用来检验某一束光是否是偏振光。方法:转动偏振片,观察透射光强度的变化。...[全文]
液晶便可以在较低的电压操作2016/10/13 20:35:16
2016/10/13 20:35:16
当有外加电场时,液晶分子会因介电系数异方性为正值或负值决定液晶分子的转向平行还是垂直于电场,K4S561632H-UI75从而决定光是否穿透。现在T「r型LCD上常用的TN型液晶大多是介电系数正...[全文]
液态晶体2016/10/12 22:15:06
2016/10/12 22:15:06
液晶,即液态晶体(hqudC玎stal,LC),是相态的一种,因为具有特殊的理化与光电特性,⒛世纪中叶开始被广泛应用在轻薄型的显示技术上。AD5644RBRMZ-3人们熟悉的物质状态(又称相)为...[全文]
厚膜材料2016/10/12 22:10:42
2016/10/12 22:10:42
ⅤFD所用的厚膜材料包括导电浆、绝缘浆、荧光粉浆、密封固定浆等,具体使AD5542ABCPZ-REEL7用部位是阳极配线、端子、绝缘层、阳极层、荧光粉层、栅极固定、栅极连接、封装玻璃层等,要求在...[全文]
厚膜材料2016/10/12 22:10:26
2016/10/12 22:10:26
ⅤFD所用的厚膜材料包括导电浆、绝缘浆、荧光粉浆、密封固定浆等,具体使AD5542ABCPZ-REEL7用部位是阳极配线、端子、绝缘层、阳极层、荧光粉层、栅极固定、栅极连接、封装玻璃层等,要求在...[全文]
电光转换2016/10/12 21:57:36
2016/10/12 21:57:36
1)电光转换栅极上加有正电压时,AD536AJHZ使阴极发射的热电子加速、扩散、并碰撞阳极,具有显示功能;加有负电压时,截断向阳极运动的电子,具有消除显示的功能。当阳极加有正电压时...[全文]
FID的工作原理2016/10/12 21:48:29
2016/10/12 21:48:29
当某一选址点(X氵,骂)加有偏压和信号电压时,发射板选址点附近的气体分子被电场电离,产生场离子发射。AD5312ARMZ离子被电场加速,穿入微通道孔撞击孔壁,引起多重二次电子发射倍增。二次发射电...[全文]
场发射阴极材料2016/10/12 21:38:20
2016/10/12 21:38:20
场发射阴极材料最为关键,其性能最直接决定了其他材料应具备的性能和应采取的制备工艺。AD2S1205WSTZ当前,场发射显示器制作方法的主流是应用Spindt型尖堆(材料有Mo,⒌等)作为冷阴极,...[全文]
真空沉积微尖2016/10/12 21:36:59
2016/10/12 21:36:59
真空沉积微尖。从与基AD22057R板垂直的方向沉积金属钼等,金属蒸气通过栅极开口部堆积在基板上,同时因为附着在开口部的内壁表面使口径变狭窄,不久就会完全闭塞,如图4-9所示。因此,圆锥形状的金...[全文]
发光响应速度极快2016/10/11 22:43:47
2016/10/11 22:43:47
①工作电压低(1~2V),耗电少,10mA下即可在室内得到足够的亮度(一般在3000cd/m2以上)。②发光响应速度极快,DS1225AD-150IND时间常数为10-7~10-9...[全文]
射频抗扰度标准是控制或限制产品对电磁场的敏感度2016/10/10 12:33:39
2016/10/10 12:33:39
射频抗扰度标准是控制或限制产品对电磁场的敏感度。高频时,通常50MHz或更高,电G1117T63UF磁能量很容易直接耦合进设备和(或)其电缆中。在较低的频率,通常50MHz或更低,大部分产品不足...[全文]
主要的集成电路参数是相互关联的2016/10/9 20:07:30
2016/10/9 20:07:30
平坦化是在基片的有源晶体管和其他组件中形成的(通常是硅).j在2011年,A40MX02-PL68英特尔公列宣布r具有源晶体管的栅极堆叠在晶圆上的一个新的j维(3D)器件,该器件被称为i栅晶体管...[全文]
工艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性的集成电路的产生2016/10/9 19:54:06
2016/10/9 19:54:06
从1947年开始,半导体产业就已经呈现出在新工艺和工艺提高上的持续发展。工艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性的集成电路的产生,从而推动了电子工业的革命。这些工艺的改进归为两大类:工艺和结构。工...[全文]
单个焊盘设计2016/10/8 17:34:03
2016/10/8 17:34:03
①单个焊盘设计:长(Y)x宽C的=(0.57~0.96)mm×(0.25~0.5)mm。AD1865R②主要注意验证以下几个参数。●周边相对两排导电焊盘内、外侧距离。...[全文]
晶须( Whisker)是指从金属表面生长出的细丝状2016/10/8 12:49:46
2016/10/8 12:49:46
影响浸析的因素主要有被焊金属合金元素与焊料合金元素之间的亲和力和互溶性、焊料的温度、IS61LV51216-10TLI流动速度等。温度上升,溶解速度增大;焊料流动速度增大,溶解速度也增大。...[全文]
三极管断路2016/10/7 16:53:17
2016/10/7 16:53:17
三极管断路:用万用表分别测量三极管发射极E、基极B、集电极C两两之间的电阻值,MR-64934如果某两极间出现正反向的测量值都趋于无限大,表明三极管断路。需说明的是,硅材料三极管的...[全文]
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