如图4-7所示,负性光刻将与掩膜板图形相反的图形复制在晶片表面,其基本特征是经过曝光后,JST7809CV光刻胶发生交联反应而不能被显影液溶解,保留在晶片表面作为后续工序的保护层,其余没有被曝光的光刻胶没有发生交联反应,在显影中被溶解,因此经过负性光刻后在晶片表面得到与掩膜板相反的图形。这种光刻胶被称为负性胶,简称负胶。

   在LED芯片制造,尤其是蓝绿光LED芯片制造中,通常在金属电极制作时用的就是负性光刻,如图4甥所示。先在待做金属电极的晶片上用负胶进行负性光刻,在完成负性光刻的晶片上,待做金属电极的区域没有光刻胶而裸露出晶片,而不用做金属电极的区域被负胶保护住。然后镀上电极金属,再用金属剥离法将非金属电极区域的金属剥离,再去除负胶,达到电极制作的目的。