大功率芯片通常也是采用中功率的5次光刻制程(MEsA→CBL→ITO→PAD→PV),但是背镀层会由DBR改为ODR(全方位反射层)。oDR的结构主要是在DBR放射层的基础上再增加高反射率的金属,如Al、Ag等金属,有时候在最后覆盖上一层Au。与单纯DBR结构相比,这种结构的oDR反射角度与反射率均有提升。进一步提升了芯片亮度,JCP8060-MSA同时对芯片散热有一定帮助。

   某些LED芯片制造企业的大功率芯片也有采用SWE工艺,这同样有利于芯片亮度提升,关于SWE提升芯片亮度的原理请参考5.5章节的详细介绍。图4-29与图4-30所示是小功率芯片、中功率芯片以及大功率芯片的光功率与驱动电流和正向电压的特性曲线,由图可知,芯片功率越大即芯片面积越大,随驱动电流增加电压上升越少,发光效率下降越少c其原因是小功率芯片面积小,电阻大,电流密度大,单位面积产生的热量大,热量无法散出导致芯片失效,而随着芯片面积增加,此问题可以得到改善。所以小功率芯片只能在小电流驱动下工作,中功率芯片适合在中等电流驱动下工作,大功率芯片可以在大电流驱动下工作。