即使生长了电流扩展良好的导电层,金属电极下面的电流仍然很大。HC.Wang等人⒓1]在电极的正下方加入siα绝缘层,阻止电流流向电极下方,JST12N65F避免了有源区发出的光被电极吸收,另外一种方法是把反向pn结作为电流阻挡层。图⒍12是上述两种阻挡层器件的结构示意图。Tron-Min Chen等人囫以肖特基势垒作为电流阻挡层,以金属Ni作为衬底反射镜制备了垂直结构的G・dN基LED。肖特基势垒的做法为电极下非欧姆接触的金属△,以IZo(Indium-Zinc-Oxidc,氧化铟锌)为电流扩展层。

   文献四报道了在LED透明电流扩展层ITO与p型金属电极层正对的下面引入电流阻挡层如图⒍13所示,使得注入电流绝大部分流向电极以外的有源区,增加了电流的横向输运,有效地减小了电极正下方的电流占全部注入电流的比例,也降低了这部分电流所带来的热效应,提高了LED的光提取效率。器件尺寸越小,光强增加效果越明显,器件尺寸为8mil×8血l时,主波长为m3nm的裸芯轴向光强达到⒛0mcd@⒛mA。