因为A1GaInP材料p型掺杂困难给上电极下的电流扩展带来问题,上电极注入的电流主要集中在上电极下面,此处发出的光会被上面的电极阻挡,有效发光区面积小,BAF04-24153-0502发光二极管的光提取效率较低,为此需要引入电流扩展层。

   LED中的电流扩展层需要满足3个条件:①对有源区发出的光透明;②电阻率低;③和上下电极形成低势垒接触。对于红光LED,电流扩展层一般有A⒗aAs[l㈣,GaP,透明导电氧化物(Tran。sparcnt Conductivc Oxidc,TCo)等透明材料。Chong-Ⅵ Lcc等人【ll]比较了A1GaAs与GaP同为电流扩展层的LED性能,虽然AlGaAs是晶格匹配材料且串联电阻小,而GaP具有高达357%晶格失配,但是GaP作为电流扩展层具有更高的光输出,是更加理想的电流扩展层材料。