- 沟道隔离2015/11/13 21:29:18 2015/11/13 21:29:18
- 沟道隔离：在MOS电路中，也用到NQ80332M667沟道隔离（见图16.40）。这个过程与形成沟道电容器的过程一样。有的称为浅沟槽隔离(shallowtrenchisolation)，就是解决...[全文]
- 电容器2015/11/13 21:17:03 2015/11/13 21:17:03
- 氧化硅一硅电容器：NE5532硅平面技术的基础是在硅晶圆上生长一层二氧化硅膜。金属导线位于二氧化硅上面，就形成了一个简单的电容器（见图16.7）。回顾一下，电容器是由夹在两个电极之间一个介质层构...[全文]
- 质量控制和IS0 9000认证2015/11/13 21:04:24 2015/11/13 21:04:24
- SPC和其他产品、N82802AB8工艺或人员质量项目都涵盖在总的质量控制范畴之下。半导体行业有两大质量组成部分：质量控制(QC)和质量保证(QA)。QC-般指在工艺过程中，用来监测和控制工艺及...[全文]
- 集簇2015/11/12 20:00:18 2015/11/12 20:00:18
- 将两个或多个工艺步骤放到同一个设备单元来做是另一种自动化水平。HY5DU561622ETP-4一般这种自动化水平称为“集簇”(clustering)。整个产业做“集簇”已有相当长的时间了。光刻胶...[全文]
- 劳动力也有直接劳动力与间接劳动力之分2015/11/12 19:41:01 2015/11/12 19:41:01
- 劳动力也有直接劳动力与间接劳动力之分。直接劳动力包括那些处理和操作晶圆及设备的工人。HX1213T间接劳动力是那些支持人员，如领班、工程师、设施技术员和办公室工作人员等。具有讽刺意味的是，使用非...[全文]
- 分光光度计或反射计2015/11/10 19:49:37 2015/11/10 19:49:37
- 膜厚的f涉或反射测量技术可以实现自动化。勾了理解这个方法，IRF2807PBF让我们先嘲顾一下1：涉效应。事实上光是能量的一种形式。因此干涉现象同样可以以能量的形式进行描述：、白光实际E是一束光...[全文]
- 干机械泵2015/11/9 19:55:05 2015/11/9 19:55:05
- 替代一期油泵的是干机械泵(drymechanicalpump)。由于油吸附尾气，油基泵是一AD8065ART-REEL个污染源有毒气体引出r特别的安全问题。干泵是基于罗茨式泵“roots”设计的...[全文]
- MOS栅极和电容器极板2015/11/9 19:51:33 2015/11/9 19:51:33
- 大多数电器元件都依靠电流的流动来工作。然而电容器是一个例外。它（见第16章）AD8057ART-REEL7由两个被绝缘电介质层隔开的电极板导电层所构成。在大多数设计中，上部的电极板是导体金属系统...[全文]
- 有4种溅射方法可用2015/11/9 19:37:59 2015/11/9 19:37:59
- 清洁干燥的氩气（或氖气）可以保持薄膜的成分特征不变，而且低湿度可以阻止薄膜发生不必要的氧化。反应室装载晶圆之后，泵开始抽气（向外），AD3110将其压力减小到1×10'9托左右。然后充入氩气，并...[全文]
- 阶梯覆盖2015/11/9 19:33:53 2015/11/9 19:33:53
- 台阶覆盖度也可以通过溅射来改良，蒸发来自于点源，而溅射来自于平面源（见图13.11）。AD22293因为金属微粒是从靶材各个点溅射出来的，所以在到达晶圆承载台时，它们可以从各个角度覆盖晶圆表面。...[全文]
- 第一层金属化工艺流程2015/11/8 18:35:23 2015/11/8 18:35:23
- 和刻蚀T艺或剥离技术将这些层不要的部分去掉；做完这一步之后，晶片表HIN232ECPZ面就留下了金属细线，称为“导线”(lead)、“金属线”(metalline)或“互相连接”(interco...[全文]
- 淀积膜2015/11/7 22:25:36 2015/11/7 22:25:36
- 采用CVD技术淀积的薄膜，按电性能可分为半导体膜、绝缘体膜和导体膜。GLT5640L16-7TC下面内容介绍了每一种膜在半导体器件中的主要应用，以及特殊薄膜的使用。这里对特殊薄膜只做概括性的介绍...[全文]
- 分子束外延2015/11/7 22:22:41 2015/11/7 22:22:41
- 对于薄膜淀积系统，始终追求的是对淀积率的控制、低淀积温度和可控的薄膜化学计量。GL816E随着这些问题变得越来越重要，分子束外延(MBE)技术已经从实验室中脱颖而出，进入生产研制阶段。MBE是一...[全文]
- 高密度等离子体CVD2015/11/7 22:17:11 2015/11/7 22:17:11
- 金属层间介质(IDL)层对多层金属的结构极为重要。其主要的难题在对高深宽比（大于3：1）孔的填充上。GF1B-E3/67A一种途径是使淀积和原位(insitu)刻蚀有序进行。初始淀积时，...[全文]
- 饼式热感应APCVD2015/11/6 19:52:57 2015/11/6 19:52:57
- 饼式或垂直APCVD系统受到小型生产线和R&D实验室的钟爱（见图12.14）。AD7549SQ在该系统中，晶圆被放置在旋转的石墨托架上，并通过托架下面的射频线圈，以传导感应的方式给晶圆加...[全文]
- 发生的化学庋应可以分为4种类型2015/11/6 19:42:03 2015/11/6 19:42:03
- 发生的化学庋应可以分为4种类型：高温分AD7549BQ解反应、还原反应、氧化反应和氮化反应（见图12.6）．，高温分解(pyrolysis)反应是仅受热量驱动的化学反应过程。还原反应(reduc...[全文]
- 掺杂区的物埋或数学特性引出2015/11/5 18:30:08 2015/11/5 18:30:08
- 第4个问题由掺杂区的物埋或数学特性引出，杂质原子的大部分靠近晶圆表面。AD670JP这使得大部分电流会在杂质主要分布的表面区附近流动。遗憾的是，这个区域（晶圆内和表面）与沾污干扰或电流退化区相同...[全文]
- 在光刻胶生产过程中可以加入各种各样的染色剂2015/11/4 22:14:27 2015/11/4 22:14:27
- 在光刻胶生产过程中可以加入各种各样的染色剂。一种染色剂在曝光时可以具有一种或几种作用。ADS7868IDBVR一种作用可能是吸收辐射光线，借此可以削弱反射光的影响，将驻波效应减到最小。另一种作用...[全文]
- 相移掩模版(PSM)2015/11/3 19:56:36 2015/11/3 19:56:36
- 对于传统的光学光刻，NCP305LSQ15T1使用一些技术从掩模版到晶圆改善图形保真度。一个衍射问题发生在当两个掩模图形非常接近时。在某一点，正常的衍射波开始接触叠加，导致该区域光刻胶不能正常曝...[全文]
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