- 溶剂／胺去除剂2015/11/2 21:09:42 2015/11/2 21:09:42
- 溶剂／胺去除剂：正光刻EL2030CM胶的优点之一是它们易于从晶圆表面去除。未经硬烘焙过的正光刻胶层可以很容易地用丙酮浸泡的方法从晶圆表面去除掉。遗憾的是，丙酮容易发生火灾，不建议使用。...[全文]
- 光刻胶的去除2015/11/2 21:06:42 2015/11/2 21:06:42
- 刻蚀之后，图形成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要r，EL2020CM而要从表面去掉。传统的方法是用湿法化学工艺将其去除。尽管有一些问题，湿法化学液在前端工艺线(FEOL...[全文]
- 显影检验2015/11/1 18:58:41 2015/11/1 18:58:41
- 在显影和烘焙之后就要完成光刻掩膜工艺的第一次质检。恰当地说，L6219R应该叫显影检验（developinspect），简称DI。检验的目的是区分那些通过最终掩膜检验可能性很小的晶圆；提供工艺性...[全文]
- 混凝式显影2015/11/1 18:52:26 2015/11/1 18:52:26
- 混凝式显影：喷雾武L4973D5.1显影因其均匀性和产能高而非常有吸引力。混凝显影是用以获得正光刻胶喷雾显影工艺优点的一种工艺的变化。该系统使用一个标准的单晶圆喷射装置。正常的喷雾式显影和混凝显...[全文]
- 对准系统的性能2015/10/31 19:39:47 2015/10/31 19:39:47
- 直到20世纪70年代中期，EL5420CR可供光刻胶工艺师选择的光刻和曝光设备只有两种：它们是接触式光刻机和接近式光刻机。这两种使用掩模图形系统。所需层的图形首先产生在玻璃基板E：的铬层中。这种...[全文]
- 动态喷洒2015/10/31 19:12:28 2015/10/31 19:12:28
- 大亩径晶圆对均匀光刻胶膜的需求促成r动态旋转喷洒技术的研发（见图8.30）。EL5157IW-T7对于这种技术，晶圆在以500弧度／分低速旋转的时候，光刻胶被喷洒在晶圆表面。低速旋转的作用是帮助...[全文]
- 表面张力2015/10/30 22:25:43 2015/10/30 22:25:43
- 光刻胶表面张力也会影响涂胶工艺的结果。表面张力是液体表面吸引力的测量（见图8.21）。ADA4430-1YKSZ-R7具有高表面张力的液体在一个平面上不易流动。表面张力会使液体在表...[全文]
- 光刻胶的物理属性2015/10/30 22:22:45 2015/10/30 22:22:45
- 光刻胶的性能因素已经被详细地说明了，AD9927BBCZRL基本光刻十步法工艺每一步都和光刻胶的物理性质和化学性质有一定联系。而这些性质都受光刻胶生产商的严格控制。固体含量...[全文]
- 掺氯氧化2015/10/29 20:25:02 2015/10/29 20:25:02
- 掺氯氧化：更薄OPA2349UA的MOS栅极氧化要求非常洁净的膜层。当在氧中加入氯时，器件的性能和洁净度就会得到改善。，氯可以减少氧化层里的移动离子电荷，减少硅表面及氧化层的结构缺陷，减少氧化膜...[全文]
- 氧化硅的线性和抛物线生长2015/10/28 20:54:44 2015/10/28 20:54:44
- 为了保持氧化层生长，氧原子与K4J52324QE-BC12硅原子必须接触。可是，在硅表面生长的一层二氧化硅层阻挡了氧原子与硅原子的接触。为了二氧化硅的继续生长，一是让晶圆中的硅原子浸入到氧气中，...[全文]
- 器件氧化物的厚度2015/10/28 20:46:11 2015/10/28 20:46:11
- 应用在硅基器件中的二氧化硅层的厚度的变化范围是很大的。薄的氧化层主要有MOS器件里的栅氧化层，K4J10324QD-HC12技术进步已经允许栅的厚度达到l>场氧化层，图7.6列出厂不同厚度范围及...[全文]
- 掺杂阻挡层2015/10/28 20:41:06 2015/10/28 20:41:06
- 在第5章中，掺杂被定义为4种基本工艺制造之一。掺杂需要在表面层上建立一些洞，K4H560838F-UCB3通过离子注入或扩散的方法把特定的掺杂物引入到暴露的晶圆表面。在硅技术里，最常见的表面层是...[全文]
- 超声波辅助进行的清洗和浸洗2015/10/27 20:58:44 2015/10/27 20:58:44
- 超声波辅助进行的清洗和浸洗：在化学品清洗池或水冲洗系统中，RT9169-33PV额外超声波振动帮助并加速湿法工艺的进行（见图5.32）。使用超声波可以提高清洗效率从而允许较低槽温。超声波是由...[全文]
- 净化间的建设2015/10/26 21:58:56 2015/10/26 21:58:56
- 净化空气方法的选择是净化间设计的首要问题。每个净化间都要在洁净程度与建造费用中找到平衡，不论最终的HEF4060BTR设计如何，每个净化间的建造都有其基本原则。主要是需要有·个封闭的房间，由非污...[全文]
- 发更敏感缺陷和污染检测设备2015/10/25 17:56:31 2015/10/25 17:56:31
- 由经验所得出的法则是微粒的大小必须是第一层金属半个节距(halfpitch)的l/2.1。STP10NK80ZFP半个节距是相邻金属条之间间距的1/2。落于器件的关键部位并毁坏r器...[全文]
- 晶圆制造实例2015/10/25 17:46:01 2015/10/25 17:46:01
- 集成电路的牛产从抛光硅片的下料开始的硅栅MOS晶体管结构所需要的基础r艺截面图按顺序展示厂构成一个简单每一步r艺生产的说明如F所示.第1步：薄膜工艺。对晶圆STM32F103VCT...[全文]
- 热处理2015/10/25 17:44:14 2015/10/25 17:44:14
- 热处理是简单地将晶圆加热和冷却来达到特定结果的制程（见图4.16）ST3426在热处理的过程中（见图4.17），在晶圜}二没有增加或减去任何物质，然而一L艺过程叮能会在晶圆中或晶圆f：面产牛污染...[全文]
- 芯片术语2015/10/25 17:15:50 2015/10/25 17:15:50
- 图4.3是一个中规模(MSI)／双极型集成电路的显微照片。之所以选择这个集成等级，SD6701SC是为了照片卜．能显示出电路的具体图形。对于更高集成度的电路，它的元件非常小，以至于在整个芯片的显...[全文]
- 晶体定向、电导率和电阻率检查2015/10/24 19:19:56 2015/10/24 19:19:56
- 在晶体提交到下一步晶体准备前，MC9S12DJ64VFU必须要确定晶体是否达到定向和电阻率的规格要求。晶体定向（见图3.18）是由X射线衍射或平行光衍射来确定的。在两种方法中，晶体...[全文]
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