对于薄膜淀积系统，始终追求的是对淀积率的控制、低淀积温度和可控的薄膜化学计量。 GL816E随着这些问题变得越来越重要，分子束外延( MBE)技术已经从实验室中脱颖而出，进入生产研制阶段。MBE是一种蒸发工艺，优于CVD工艺。该系统由压力维掎10一o托的淀积反应室组成（见图12. 25）。反应室内是一个或多个单元（称为射流单元，effusion cell），其中含有晶圆}j所需材料的高纯度样品。单元E的快r J把晶圆暴露在源材料前，电子束挖直接撞击-在材料的中心，将其加热成液体。液态下，原子从材料中蒸发出来，从单元的开口中溢出，淀积在晶圆的表面上。如果材料源是气态的，此技术称为气态源( gas source)MBE或GSMBE。在许多应用当中，将晶圆在反应室内加热，以对到达的原子提供附加的能量。附加的能量加速了外延的生长，并形成质量良好的薄膜。

   对于暴露的晶圆表面，淀积原子将以晶圆的定向生长外延层。MBE提供了极佳的选择，通过反应室的掺杂源内所含有

的物质，形成原位掺杂。常规的硅掺杂源在MBE系统中并不适用。固态的镓用于P型掺杂，锑用于N型掺杂。实际上，使用MBE系统淀积磷的可能性也不大。   

   对硅工艺来讲，MBE系统的主要优点在于低温(400℃~800C)，这样可将自动掺杂和外溢扩散减小到最低。或许，MBE最大的优势是具有一个工艺步骤（一次抽真空）就可以在晶圆表面上形成多个层的能力。这样的选择霈要在反应室内安装几个射流单元和序列化的快门装置，按照正确的顺序和准确的时间将蒸发束引导到晶圆表面。