清洁干燥的氩气（或氖气）可以保持薄膜的成分特征不变，而且低湿度可以阻止薄膜发生不必要的氧化。反应室装载晶圆之后，泵开始抽气（向外）， AD3110将其压力减小到1×10'9托左右。然后充入氩气，并使其电离。要严格控制进入室内的氩气的量，因为氩气增多会造成室内压力升高。由于氩气和轰击出的原材料存在，室内压力将上升到大约10一托。对于薄膜淀积速率，反应室压力是一个关键参数。从靶上轰击出原材料之后，氩离子、轰击出的原材料、气体原子和溅射工艺所产生的电子，在靶前方形成一个等离子区域。、等离子区是可见的，呈现紫色辉光。、而黑色区域将等离子区和靶分开，我们称之为暗区( dark space)。

   有4种溅射方法可用：二极管（直流）、频(RDI)]、三极管和磁控管。磁控管溅射( magnetron) 已经作为优选系统而呈现。这种系统将磁极安装在靶的背面和四周（见图13. 14），磁铁俘获和限制电子到靶前的运动及到晶圆的运动。j此外，它将可以被溅射逭的靶室材料的量最小化，并防止对淀积膜的污染。磁控系统对于提高淀积速率更加有效。因此，磁控系统产生的离子流（轰击靶的氩离子密度）要比传统的二极溅射系统好，、其次，反应室的压力将更低，这有利于淀积膜的清洁i，另外，磁控溅射系统使得靶的温度降低，有利于铝和铝合金的溅射。

   实际生产用的溅射系统各种各样。有的反应室是批次晶圆生产系统，有的则是单晶圆生产系统。大部分生产设备都有装料自锁能力。装料口就像接待室，它是局部真空的，可以保证反应室维持真空。它的优点就是提供了更高的生产率。生产设备通常可以支持一种或两种靶材，而且随着机械技术的发展，将来的设备会有更大的扩展性。

   溅射I：艺还能完成品圆表面的腐蚀和清洁。将晶圆承载台放在一个小同的场压F，使得氩原子直接轰击晶圆，来完成刻蚀和清洁。这种工艺程序称为溅射刻蚀(sputter etCh)、反溅射(reverse sputter)或离子铣(ion milling)，、它可清除晶圆上的污染物和一层薄的膜。清除污染物提高了已暴露晶圆区域与薄膜之间的电连接．同时提高了薄膜对晶圆表面其他部分的黏度。