金属层间介质(IDL)层对多层金属的结构极为重要。其主要的难题在对高深宽比（大于3：1）孔的填充上。GF1B-E3/67A一种途径是使淀积和原位( in  situ)刻蚀有序进行。初始淀积时，通常底部较薄。将肩部刻蚀掉，然后再淀积，从而形成均匀的淀积层和较为平坦的表面。

   实现这种工艺的系统是高密度等离子体CVD(High-DensityPlasma CVD, HDPCVD)n。在CVD反应室的内部形成等离子体场、，该等离子场含有氧气和硅烷( Silane)，用以淀积二氧化

硅。此外，还含有由等离子体中提供能量的氩离子，直接撞击晶圆表面，该现象称为溅射反应（见9.5节），从晶圆表面和沟槽中去除材料。HDPCVD具有淀积多种材料的潜能，用于IMD层、刻蚀终止层和最后的钝化层。