沟道隔离：在MOS电路中，也用到NQ80332M667沟道隔离（见图16. 40）。这个过程与形成沟道电容器的过程一样。有的称为浅沟槽隔离( shallow trench isolation)，就是解决由标准的局部氧化隔离带来的“鸟嘴”问题。在这种结构中，元器件之间用刻蚀的沟槽隔开，然后再在浅沟槽中填入介质（参见图16. 41）。在侧壁氧化和填入介质之后，用化学机械抛光(CMP)的方法使晶圆表面平坦化。

   CMOS:互补型MOS( CMOS)是由N沟道晶体管和P沟道晶体管所组成的电路。在许多应用中，CMOS变成r标准电路，CMOS使数字手表和袖珍计算器变成了现实。有的电路，若只用N沟道电路和P沟道电路，将需要好几个芯片，但是若用CMOS则只需一个芯片就够r，CMOS电路与其他电路相比，功耗更低．

   CMOS结构（见图16. 42）是先在晶圆表面形成的深P型阱里做N沟道晶体管，把N沟道晶体管做好之后，再做P沟道晶体管。晶体管的结构是硅栅极或其他高级结构。CMOS工艺应用最先进的技术，CMOS往设计方面，具有更小的尺寸、更高的密度、更高质量的元器件，这些都会增加它与生俱来的优点．