氧化硅一硅电容器：NE5532硅平面技术的基础是在硅晶圆上生长一层二氧化硅膜。金属导线位于二氧化硅上面，就形成了一个简单的电容器（见图16.7）。回顾一下，电容器是由夹在两个电极之间一个介质层构成的。这事实上就是MOS电容器结构。然而，为了使这种结构能发挥电容的作用，氧化物必须足够薄（大约isoo A[l]）。上面的电极称为电池板(cellplate)，下面的电极称为存储结(storage node)。

   电容器是一个储存电荷的器件。一个电池就是一个电容器。当在金属板上加上电压后，氧化层下面晶圆表层就会右电荷积累（见图16.7）。其电荷量是氧化层的厚度、氧化层的介电常数及其面积的函数，面积是由其上方的金属板的面积决定的。这种结构的电容被称为平行板电容器、单片电容器或MOS电容器（在金属氧化物材料被用在三明治结构中以后）。

   在密集的集成电路中，我们用一种类似于三明治的氧化物一氮化物一氧化物( Oxide-Nitride -Oxide，ONO)作为介电质。这种合成后的薄膜有较低的介电常数，从而使电容器面积比传统的二氧化硅电容器要小。在有些电路中，专门形成电容器以存储电荷然而，只要金属线位于一层硅上（或其他半导体材料上）的介质层上，就构成电容结构。在这种情况下，该电容器不应存储电荷，这些电荷会干扰电路的工作。在这种情况下，介质层要足够厚以防止该电容器存储电荷，或使用低后介质材料（见第12章）。