大多数电器元件都依靠电流的流动来工作。然而电容器是一个例外。它（见第16章）AD8057ART-REEL7由两个被绝缘电介质层隔开的电极板导电层所构成。在大多数设计中，上部的电极板是导体金属系统的一部分。关于电容器参数关系的讨论已在第2章中有说明。

   MOS晶体管就是一个电容器的结构，其上部电极称为栅极(gate)，它在MOS集成电路中起着非常关键的作用、

   有时金属层被溅射到晶圆的整个背面上。这层金属作为热的互连层或特定封装r艺的压焊层。可使用金属包括金、铂、钛和铜（见第18章）。

   真空系统

   在微芯片制造最初，仅有两种基于真空的工艺：铝蒸发和背金。如今，大约有四分之一的工艺是在真空或低压中进行的，其中包括光刻曝光、剥离和刻绌系统、离子注入、溅射工艺、LPCVD、PECVD和快速热处理。此外，对于带真空锁的装卸台和传输台，自动处理要求在低压环境中进行。真空反应室提供没有污染气体的工艺条件。在薄膜淀积工艺中，真空环境增加r淀积的原子和分子的平均自由程，这提高r薄膜淀积的均匀度和町控性，LPCVD是在低至IO -’托（中真空）的压力范围内进行的，然而其他工艺是在低至10“托（高真空到超高真空）的压力范围内进行的。中真空可以通过机械真空泵来获得，而在高真空工艺反应

室，这些机械泵可以用在起初的减压阶段。在这种情况下，将其称为粗抽泵( roughingpump)．、另外，我们还可以将机械真空泵用在高真空泵系统的出气端，帮助气体分子从泵转移到废气排放系统。

   在粗真空建立之后，高真空泵接替完成最终的真空的建立。这种高真空泵可以是油扩散泵( oil diffusion)、低温泵(cryogenic)、离子泵(ion)或涡轮分子泵(turbomolecular) -无论是哪种泵，它们都是由特殊材料制成的，不会向系统漏气( out gas)，破坏真空，典型材料有304号不锈钢、无氧高导性铜( OFHC)、科瓦铁镍钴合金、镍、钛、硼硅酸玻璃、陶径、钨、金和某些低挥发的人造橡胶．，有些泵用于抽取腐蚀性和毒性气体或反应后的副产品，它们必须对内壁无腐蚀。而且，我们在维护这些泵时要十分小心。