- 模有效折射率2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 由式（4－21）和式（4-22）知道： 我们尤其对z方向的传播常数感兴趣，炻经常可以用β来表示，它们是等效的。 我们可以定义一个参数n，称为有效折射率，表示为 这个...[全文]
- 电磁场理论基础2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 简单的光波导理论可通过射线光学进行研究，但是要对光波导器件进行精确设计，就一定要用到波动光学的理论。波动光学的理论基础即麦克斯韦方程组，它可以写成4个耦合的方程，其中两个标量方程，两个矢量方...[全文]
- 波方程的化简和求解2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 在这一部分，我们利用简单的平板光波导结构来化简波方程。我们将利用偏振的m模（只在艿方向存在电场）来求解波方程。tm模（只在y方向存在电场）的求解过程与之类似。 将式（4-53）在笛卡儿...[全文]
- 波方程的模场形状2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 在已经得出了场解后，就可以画出其场分布和强度分布图。为了描述多模特性，定义一个较大的多模光波导，参数如下：n1＝3.5，n2=1.46，n3=3.5，λ0＝1.55 gm，h＝1.0um。芯...[全文]
- 波方程的限制因子2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 我们知道，并不是光波导中所有的光功率都在芯层内部传输。而知道有多少功率在芯层内部传输是十分重要的；它是比较光波导模式和光波导制作技术的重要因素。如光波导对模式限制强，则芯层内部的光场能量就大...[全文]
- 光波导基本结构2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 平板光波导的利用面非常有限，因为它只能导引光波沿着一个固定的方向传播，这无疑限制了光波导的应用；实际最长用的光波导结构为三维光波导，它能自由地将光波导引到任意想要的方向。目前在oeic中最常...[全文]
- 集成光电子学SOI光波导2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 集成光电子学无论在技术还是成本上都占有优势。对于iii-v族化合物来说，硅材料和sol（硅在绝缘体上）在基片处理成本，封装密度等方面均占有优势。微电子工艺的发展水平使得集成光学的工艺很容易实...[全文]
- 有效折射率法进行脊形光波导结构2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- sol基片的构成如图1所示，顶层硅的厚度约为几微米，做为光波导的芯层材料；掩埋氧化层的厚度一般为0.5 gm，作为光波导的下包层，防止光场从衬底泄漏掉，所以只要氧化层的厚度大于光模的消逝场的...[全文]
- 光波导的折射率及损耗系数2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 目前为止，我们认为折射率是实数，但是一般情况下，它是一个复数。复折射率定义为 因此，有一项为exp（－kon1z），这一项经常被写为exp（- a），a称为损耗系数， 之所以包含在里...[全文]
- 硅光波导中损耗的分类2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 光波导的散射分为两种类型：体散射和界面散射。体散射是由于光波导体材料的缺陷造成的，如空洞、杂质原子和晶格缺陷等。界面散射是由于光波导芯层和包层界面的粗糙度引起的。体散射在硅材料中一般可以忽略...[全文]
- 半导体材料的吸收损耗2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 半导体材料的吸收主要来源于带边吸收、带间吸收和自由载流子吸收。当光子能量大于禁带宽度时，价带中的电子就会被激发到导带。所以传输光的波长要大于光波导材料吸收边的波长，即导波的波长要大于1.1 ...[全文]
- 直光波导中的辐射损耗2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 直光波导中的辐射损耗可以忽略，弯曲光波导和光波导制作过程中引入的光波导结构畸变是辐射损耗的主要来源。弯曲损耗随曲率半径的减小而增大，尤其是小截面光波导，此时光的限制因子较小，更容易引起弯曲损...[全文]
- 硅中的光调制机制2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 调制即是通过施加电信号改变光波导中光的相位、强度和偏振等特征，以达到用光来传输信号的目的。硅的调制比较普遍的是利用载流子的注入或耗尽，而不是利用通常的电场效应，下面介绍几种调制机制。 ...[全文]
- SOl基片的制备2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 绝大部分的硅光子器件选择sol材料来做平台。而我们通常用的sol材料选择硅的良好氧化物二氧化硅来做掩埋绝缘层，即硅在二氧化硅上。顶层硅和掩埋二氧化硅的厚度一般为微米量级，随制作工艺的不同而不...[全文]
- 基片的SOl氧注入分离法2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 氧注入分离法是将大量的氧离子注入到单晶硅片表面一层薄膜之下，对于大批量生产很有意义。虽然其工艺概念较简单，但是对于器件级的sol来说，其工艺冗余度却比较低。 我们通过注入剂量，即每平方...[全文]
- 基片的SOl背部刻蚀和键合2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 将两种亲水表面（如二氧化硅）紧密接触可以形成很强的键合。这种现象使besoi法在20世纪70年代就发展起来了。 besqi的制作分如下三个步骤：（1）氧化两个基片，为键合做准备；（2）...[全文]
- 基片的SOl智能切割2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 将simox和besoi的步骤结合起来就形成了智能切割。将注入剂量为1017/cm2的氢离子注入到热氧化的基片中，形成高斯分布的轮廓。基片表面到氢离子峰值浓度的距离取决于注入能量，通常在几百...[全文]
- 波导SOl硅外延生长工艺特点2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 对于大截面的sol光波导来说，顶层硅的厚度不一定能满足要求。这时候就需要外延生长一定厚度的硅。一般的外延技术采用化学气相沉积cvd（chemical vapor deposition）来实现...[全文]
- 波导SOl光刻工艺特点2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 脊形光波导的尺寸主要是由光刻工艺决定的。光刻受周围环境、设备条件等影响较大；所以，要保证光刻工艺的质量，就需要对光刻有一个全面的认识。微电子工艺的关键尺寸（critical dimensio...[全文]
- 波导SOl刻蚀工艺特点2008/12/3 0:00:00 2008/12/3 0:00:00
- 刻蚀即通过物理或化学的方法去除非光刻胶或硬掩膜覆盖区域的材料。通常有两种方法，分别为干法刻蚀和湿法刻蚀，它们各有优缺点。但对于工艺灵活性、刻蚀精确度和可重复性等方面来说，干法刻蚀居主导地位。...[全文]
热门点击
公网安备44030402000607
