将两种亲水表面（如二氧化硅）紧密接触可以形成很强的键合。这种现象使besoi法在20世纪70年代就发展起来了。

　　besqi的制作分如下三个步骤：（1）氧化两个基片，为键合做准备；（2）化学键合两个氧化基片；（3）减薄其中一个基片。

　　键合化学法较复杂，这里就不详述了。在一般情况下，首先在室温下进行初步键合，然后再在1100℃的高温下增加键合强度。

　　硅片减薄有几种不同的工艺，最通常的是化学机械抛光（cmp），这是微电子领域广泛应用的一种基片平坦化方法。但其平坦度不高，通常表层硅为10 gm左右。如果想使顶层硅更薄，常用的办法是先对硅进行重p型掺杂，然后再外延一层轻掺杂的硅作为光波导层，之后再氧化并与另一氧化硅片进行键合；刻蚀的时候先用cmp去除大部分的硅，然后再用选择性较高（对掺杂的硅基本不刻蚀）的各项异性刻蚀剂将非掺杂的硅刻掉，这时候表面就是高掺杂的硅表面了；最后再刻掉这层高掺杂的硅，剩余的就是轻掺杂的硅在二氧化硅上了，如图1所示^[13]。

　　图1 sol键合与减薄工艺流程

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