半导体材料的吸收损耗
发布时间:2008/12/3 0:00:00 访问次数:564
半导体材料的吸收主要来源于带边吸收、带间吸收和自由载流子吸收。当光子能量大于禁带宽度时，价带中的电子就会被激发到导带。所以传输光的波长要大于光波导材料吸收边的波长，即导波的波长要大于1.1 gm。自由载流子吸收在半导体材料中很明显。自由载流子将会同时影响折射率的实部和虚部，用drude方程描述吸收系数随载流子浓度的变化为
式中，e是电子电荷；c是真空中的光速；uc是电子迁移率；uh是空穴迁移率；mce是电子的有效质量；mch助是空穴的有效质量；ne是自由电子的浓度；凡nc自由空穴的浓度；ε0是真空中的介电常数；气是真空中的波长。
欢迎转载，信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）
半导体材料的吸收主要来源于带边吸收、带间吸收和自由载流子吸收。当光子能量大于禁带宽度时，价带中的电子就会被激发到导带。所以传输光的波长要大于光波导材料吸收边的波长，即导波的波长要大于1.1 gm。自由载流子吸收在半导体材料中很明显。自由载流子将会同时影响折射率的实部和虚部，用drude方程描述吸收系数随载流子浓度的变化为
式中，e是电子电荷；c是真空中的光速；uc是电子迁移率；uh是空穴迁移率；mce是电子的有效质量；mch助是空穴的有效质量；ne是自由电子的浓度；凡nc自由空穴的浓度；ε0是真空中的介电常数；气是真空中的波长。
欢迎转载，信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）
上一篇：直光波导中的辐射损耗
上一篇：硅光波导中损耗的分类
相关技术资料- 7-26MOSFET 电感单片降压开关模式变换器优势特征
- 7-26SiC MOSFET 和 IGBT 隔离式栅极驱动器应用
- 7-26新型 电隔离无芯线性霍尔效应电流传感器
- 7-26业界超小绝对位置编码器技术参数设计
- 7-26高带宽、更高分辨率磁角度传感技术应用探究
- 7-26MagAlpha 角度位置传感器应用详解
- 7-25新一代 Cat 1 bis 技术应用简述
- 7-25世界上最小开源 LoRa + GPS 模块应用探究
- 7-25集成 ±0.2°C 温度传感器产品详情
- 7-25输出数字功率监测器INA745BQWRELRQ1
- 7-25高性能超紧凑型OSRAM CT ELLN51.14片式
- 7-25带单线HDQ接口和温度传感器BQ2028
- 相关IC型号
热门点击
公网安备44030402000607
