脊形光波导的尺寸主要是由光刻工艺决定的。光刻受周围环境、设备条件等影响较大；所以，要保证光刻工艺的质量，就需要对光刻有一个全面的认识。微电子工艺的关键尺寸（critical dimension）目前已经减小至65 nm，对于光波导来说已经绰绰有余了。然而对于一般的大截面脊型光波导的制作，只需采用成本较低的接触式曝光机，其分辨率一般为1 gm左右。而若制作光子线或光子晶体波导则需采用极紫外光刻机（一般波长为248 nm或193 nm），这时光学临近效应就显得重要了，通常需要较复杂的补偿技术。

　　对于以干涉为基础的波导器件来说，波导条宽的准确度至关重要，这直接影响着波长的准确性（如awg等器件），所以如何能保证光刻工艺的准确性、稳定性及重复性，是光刻工艺的一大难题。

　　另外，周围环境及光刻机状态对光刻图形的影响至关重要。如温度对显影工艺的影响、湿度对胶膜黏附性的影响、汞灯老化程度对曝光参数的影响，等等。处理好这些参数，才能形成稳定的光刻工艺。

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